【技术实现步骤摘要】
本文所述的示例总体上涉及一种基板处理设备，更具体来说，涉及一种用于改进基板处理设备中的基板的处理均匀性的设备。
技术介绍
1、沉积工艺(例如化学气相沉积(cvd)和等离子体增强cvd(pecvd)工艺)通常用于半导体元件的制造中。在半导体元件制造期间，通过使一种或更多种气态前驱物在处理腔室的处理体积中反应以在基板表面上形成材料层，在基板表面上将材料沉积成层。气态前驱物可包括气相前驱物和蒸气相前驱物中的一者或两者。
2、残余材料(例如，气态前驱物及其反应副产物)可能不期望地将材料沉积在处理腔室的处理体积中的一个或多个内部表面上。沉积物的厚度可随着每个被处理的基板而增加。随着残余材料沉积物的厚度增加，沉积物最终从处理腔室表面剥落，导致处理体积中不期望的颗粒污染。颗粒污染会负面地影响沉积在基板上的材料层的品质。因此，必须定期清洁cvd和pecvd工艺腔室，以从中移除残余材料。处理腔室清洁包括基板处理操作之间的周期性清洁周期及开启腔室以进行清洁和定期维护中的一者或两者。此类清洁和维护导致较低的基板生产量和增加的腔室停机时间。因此，此种清洁和维护可能导致处理腔室的生产能力的损失。
3、据此，本领域中需要一种用于防止在处理腔室的处理体积中的内部表面上的不期望的沉积的设备。
技术实现思路
1、本文公开一种用于等离子体处理腔室的净化气体体积的挡板。所述处理腔室包括：盖、侧壁、和基板支撑件，所述盖、侧壁、和基板支撑件共同界定处理体积。底部碗、腔室基底、和耦合至所述腔室基底及所
2、在另一示例中，处理腔室包括：盖、侧壁、和基板支撑件，所述盖、侧壁、和基板支撑件共同界定处理体积。底部碗、腔室基底、和耦合至所述腔室基底及所述底部碗的壁共同界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有穿过所述第一表面设置的第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有第一净化端口，所述第一净化端口可耦合至第一净化气体线以用于经由净化端口供应净化气体至所述净化体积。所述腔室基底具有第二净化端口，所述第二净化端口可耦合至第二净化气体线以用于经由所述第二净化端口供应所述净化气体至所述净化体积。挡板在所述第一净化端口及所述第二净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中。
3、在又一示例中，处理腔室包括：盖、侧壁、和基板支撑件，所述盖、侧壁、和基板支撑件共同界定处理体积。底部碗、腔室基底、和耦合至所述腔室基底及所述底部碗的壁共同界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有穿过所述第一表面设置的第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于经由所述净化端口供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中。所述挡板经配置以偏转进入所述净化体积的所述净化气体的轨迹。所述挡板经配置以将所述第一等化器孔处的所述净化气体的速度降低至小于所述净化端口处的净化气体喷射的速度的20％。
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1.一种处理腔室，包括：
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
3.如权利要求2所述的处理腔室，其中：
4.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
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7.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
8.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
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10.一种处理腔室，包括：
11.如权利要求10所述的处理腔室，其中：
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1.一种处理腔室，包括：
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
3.如权利要求2所述的处理腔室，其中：
4.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
5.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
6.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
7.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
8.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
9.如权利要求8所述的处理腔室，其中：
10.一种处理腔室，包括：
11.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·帕塔克，K·沙阿，A·K·班塞尔，T·A·恩古耶，J·C·罗查，D·伯拉尼克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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