用于小间距填充的支撑层制造技术

提供一种具有支撑层的DRAM装置，用于在被电极金属填充之前保持bWL特征。支撑层使结构从顶表面得到支撑，但不阻止间隙填充。首先将暂时间隙填充材料沉积在bWL间隙中，随后使暂时间隙填充材料凹陷以暴露顶部边缘。随后通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将支撑层材料沉积在结构上。随后将装置图案化为正交且间距大于bWL间距。随后移除暂时间隙填充材料，从而形成包括支撑材料的支撑梁。随后可沉积金属以填充在支撑梁之下的bWL间隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开内容的实施方式关于电子装置及电子装置制造的领域。更特定而言，本公开内容的实施方式提供包含支撑层以在填充之前保持埋入式字线(buried wordline)特征的电子装置及形成所述电子装置的方法。

技术介绍

1、电子装置(诸如个人计算机、工作站、计算机服务器、大型主机)及其他计算机相关设备(诸如打印机、扫描仪及硬盘驱动)使用提供大量数据储存能力同时带来低功耗的存储器装置。存在两种主要类型的随机存取存储器单元——动态及静态，它们非常适合用于电子装置中。可将动态随机存取存储器(dram)编程以储存表示两个二进制值中一者的电压，但需要周期性再编程(reprogramming)或“刷新(refreshing)”以维持此电压超过非常短的时间段。静态随机存取存储器(sram)因为不需要周期性刷新所以如此命名。

2、dram存储器电路是通过在单一半导体晶片上复制数十亿个相同的电路元件(称为dram单元)来制造的。每个dram单元是可寻址位置，所述可寻址位置可储存一比特(二进制数字)的数据。在dram单元的最常见的形式中，dram单元由两个电路部件组成：场本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，包括：

2.如权利要求1所述的存储器装置，进一步包括栅极氧化物层，所述栅极氧化物层在所述多个沟槽中的每一者的所述底部及侧壁上。

3.如权利要求2所述的存储器装置，进一步包括凹陷的间隙填充材料，所述凹陷的间隙填充材料在所述栅极氧化物层上及在所述多个沟槽中的每一者中。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述支撑层包括多晶硅、低温氧化物、高κ材料、金属、金属氮化物、p掺杂多晶硅和类似者中的一或更多者。

5.如权利要求2所述的存储器装置，其中所述栅极氧化物层包括氧化物、低κ介电材料、高K介电材料及经退火的氧化物材料中的一或更...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种存储器装置，包括：

2.如权利要求1所述的存储器装置，进一步包括栅极氧化物层，所述栅极氧化物层在所述多个沟槽中的每一者的所述底部及侧壁上。

3.如权利要求2所述的存储器装置，进一步包括凹陷的间隙填充材料，所述凹陷的间隙填充材料在所述栅极氧化物层上及在所述多个沟槽中的每一者中。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述支撑层包括多晶硅、低温氧化物、高κ材料、金属、金属氮化物、p掺杂多晶硅和类似者中的一或更多者。

5.如权利要求2所述的存储器装置，其中所述栅极氧化物层包括氧化物、低κ介电材料、高k介电材料及经退火的氧化物材料中的一或更多者。

6.如权利要求5所述的存储器装置，其中所述栅极氧化物层具有在从5nm至7nm的范围中的厚度。

7.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述凹陷的间隙填充材料包括氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、氮化钽硅(tasin)、钼(mo)、钨(w)和类似者中的一或更多者。

8.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个沟槽具有大于或等于10:1的深宽比。

9.一种形成存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

10.如权利要求9所述的方法，其中所述暂时填充材料包括低应力材料。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述暂时填充材料包括旋涂碳、cvd碳、cvd硅锗(sig...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗雷德里克·费什伯恩，姜声官，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：