温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体集成器件的制造方法，应用于半导体技术领域。具体在形成第一导电阱且露出第一导电阱所对应的基底后，先对基底进行预处理，如灰化工艺，以在该露出的基底上形成光阻粘接层，之后再确定基底的表面上均覆盖有一层材料为氧化物的膜层后，在...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。