【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，具体而言，涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，对显示面板的显示均一性有了更高的要求。现有技术中，由于受到膜层制备工艺的制约，显示面板的关键节点存在一定的寄生电容，而显示面板中关键节点的寄生电容的偏差会影响到显示面板中整体电容的电容偏差，影响显示面板显示的均一性。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的提供一种显示面板和显示装置，提高显示面板有助于提高显示的均一性。
2、根据本公开的第一个方面，提供一种显示面板，显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和第一源漏金属层；
3、其中，所述第二栅极层设置有沿行方向延伸的第一下扫描信号走线；所述第三栅极层设置有沿行方向延伸的第一上扫描信号走线；所述第一源漏金属层具有第一金属结构；所述第一金属结构的两端分别通过过孔与阈值补偿晶体管的第二极、驱动晶体管的栅极电连接；
4、所述阈值补偿晶体管的栅极包括位于所述第一下扫描信号走线的阈值补偿晶体管的底栅和位于所述第一上扫描信号走线的阈值补偿晶体管的顶栅；
5、所述第一下扫描信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一金属结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第一区域；
6、所述第一上扫描信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一
7、所述第二区域覆盖所述第一区域。
8、根据本公开的一种实施方式，所述显示面板还包括多晶硅半导体层；
9、所述多晶硅半导体层包括第一多晶硅结构；所述第一多晶硅结构位于数据写入晶体管的沟道区和驱动晶体管的第一极之间；
10、所述第一下扫描信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一多晶硅结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第四区域；
11、所述第一上扫描信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一多晶硅结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第三区域；
12、所述第四区域覆盖所述第三区域。
13、根据本公开的一种实施方式，所述第一下扫描信号走线包括第一延伸部和第二延伸部；
14、所述第一延伸部与所述第二延伸部电连接；且在所述第二延伸部的正投影与所述第一金属结构在所述衬底基板的正投影相交；
15、所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一多晶硅结构在所述衬底基板的正投影相交，且所述第一延伸部沿列方向的宽度大于所述第二延伸部沿列方向的宽度。
16、根据本公开的一种实施方式，所述显示面板还包括沿行方向延伸的初始化电压走线和控制信号走线；
17、其中，至少部分所述控制信号走线在所述衬底基板上的正投影，与至少部分所述初始化电压走线在所述衬底基板的正投影存在重合区域。
18、根据本公开的一种实施方式，所述初始化电压走线包括第一初始化电压走线、第二初始化电压走线和第三初始化电压走线；所述第一初始化电压走线、所述第二初始化电压走线和所述第三初始化电压走线分别用于加载第一初始化电压、第二初始化电压、第三初始化电压；
19、所述控制信号走线包括第二复位信号走线、第一复位信号走线和发光信号走线；所述第二复位信号走线用于加载所述第二复位信号，所述第一复位信号走线用于加载所述第一复位信号，所述发光信号走线用于加载使能信号；
20、其中，所述第二复位信号走线、第一复位信号走线和发光信号走线中的至少一者在所述衬底基板上的正投影，与所述第一初始化电压走线、第二初始化电压走线和第三初始化电压走线中的至少一者在所述衬底基板的上的正投影存在重合区域。
21、根据本公开的一种实施方式，所述第二复位信号走线在所述衬底基板的正投影与所述第一初始化电压走线在所述衬底基板的正投影存在重合区域；
22、所述第一复位信号走线在所述衬底基板的正投影与所述第二初始化电压走线在所述衬底基板的正投影存在重合区域；
23、所述发光信号走线在所述衬底基板的正投影与所述第三初始化电压走线在所述衬底基板的正投影存在重合区域。
24、根据本公开的一种实施方式，所述第一栅极层设置有沿行方向延伸的发光信号走线；所述第三栅极层设置有沿行方向延伸的第三初始化电压走线；所述第一源漏金属层具有第二金属结构；所述第二金属结构的两端分别通过过孔与第一发光晶体管的第二极、第二复位晶体管的第二极电连接；
25、所述第三初始化电压走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第六区域；
26、所述发光信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第五区域；
27、所述第六区域覆盖所述第五区域。
28、根据本公开的一种实施方式，所述多晶硅半导体层包括第二多晶硅结构；所述第二多晶硅结构位于第一发光晶体管的沟道区；
29、所述发光信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二多晶硅结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第八区域；
30、所述第三初始化电压走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二多晶硅结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第七区域；
31、所述第八区域覆盖所述第七区域。
32、根据本公开的一种实施方式，所述发光信号走线包括第三延伸部和第四延伸部；
33、所述第三延伸部与所述第四延伸部电连接；且在所述第四延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第二金属结构在所述衬底基板的正投影相交；
34、所述第三延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第二多晶硅结构在所述衬底基板的正投影相交，且所述第三延伸部沿列方向的宽度大于所述第四延伸部沿列方向的宽度。
35、根据本公开的一种实施方式，所述多晶硅半导体层包括第三多晶硅结构；所述第三多晶硅结构位于第一复位晶体管的沟道区；
36、所述第一栅极层设置有沿行方向延伸的第一复位信号走线；所述第三栅极层设置有沿行方向延伸的第二初始化电压走线；
37、所述第一复位信号走线在所述衬底基板上的正投影与所述第三多晶硅结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第十区域；
38、所述第二初始化电压走线在所述衬底基板上的正投影与在所述第三多晶硅结构在所述衬底基板上的正投影的重合区域为第九区域；
39、所述第十区域覆盖所述第九区域。
40、根据本公开的一种实施方式，所述第一复位信号走线包括第五延伸部和第六延伸部；
41、其中，所述第五延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第三多晶硅结构在所述衬底基板的正投影相交，且所述第五延伸部沿列方向的宽度大于所述第六延伸部沿列方向的宽度。...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底基板、第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和第一源漏金属层；
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多晶硅半导体层；
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一下扫描信号走线包括第一延伸部和第二延伸部；
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括沿行方向延伸的初始化电压走线和控制信号走线；
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述初始化电压走线包括第一初始化电压走线、第二初始化电压走线和第三初始化电压走线；所述第一初始化电压走线、所述第二初始化电压走线和所述第三初始化电压走线分别用于加载第一初始化电压、第二初始化电压、第三初始化电压；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二复位信号走线在所述衬底基板的正投影与所述第一初始化电压走线在所述衬底基板的正投影存在重合区域；
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极层设置有沿行方向延伸的发光信号走线；所述第三栅极层设
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅半导体层包括第二多晶硅结构；所述第二多晶硅结构位于第一发光晶体管的沟道区；
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述发光信号走线包括第三延伸部和第四延伸部；
10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅半导体层包括第三多晶硅结构；所述第三多晶硅结构位于第一复位晶体管的沟道区；
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一复位信号走线包括第五延伸部和第六延伸部；
12.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅半导体层包括第四多晶硅结构；所述第四多晶硅结构位于第二发光晶体管的沟道区；
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述发光信号走线包括第七延伸部和第八延伸部；
14.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极层包括沿行方向延伸的第二复位信号走线；所述第三栅极层包括沿行方向延伸的第一初始化电压走线；
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～14任一项所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底基板、第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和第一源漏金属层；
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多晶硅半导体层；
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一下扫描信号走线包括第一延伸部和第二延伸部；
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括沿行方向延伸的初始化电压走线和控制信号走线；
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述初始化电压走线包括第一初始化电压走线、第二初始化电压走线和第三初始化电压走线；所述第一初始化电压走线、所述第二初始化电压走线和所述第三初始化电压走线分别用于加载第一初始化电压、第二初始化电压、第三初始化电压；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二复位信号走线在所述衬底基板的正投影与所述第一初始化电压走线在所述衬底基板的正投影存在重合区域；
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极层设置有沿行方向延伸的发光信号走线；所述第三栅极层设置有沿行方向延伸的第三初始化电压走线；所述第一源漏金属层具有第二金属结构；所述第二金属结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彪，张毅，马宏伟，杨慧娟，舒晓青，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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