位元击穿条件的确定方法及设备技术

本申请实施例提供一种位元击穿条件的确定方法及设备，该方法包括：确定多个第一击穿条件；根据每个第一击穿条件分别对对应的第一位元进行击穿，得到每个第一击穿条件的第一击穿结果，不同的第一击穿条件对应不同的第一位元；根据第一击穿结果从多个第一击穿条件中确定第二击穿条件

【技术实现步骤摘要】
位元击穿条件的确定方法及设备


[0001]本申请实施例涉及半导体
，尤其涉及一种位元击穿条件的确定方法及设备
。

技术介绍

[0002]在半导体
中，存储阵列用于存储数据
。
其中，存储阵列由多个位元构成，每个位元用于存储一个比特的数据
。
存储阵列可以分为主阵列和冗余阵列，冗余阵列中的位元
(
可以称为冗余位元
)
用于对主阵列中失效的位元
(
可以称为失效位元
)
进行替换
。
在对失效位元替换之后，需要存储到失效位元的数据实际上存储到对应的冗余位元中
。
[0003]现有技术中，在上述替换过程执行之前，需要将冗余位元的栅极
(gate)
和漏极
(drain)
之间的氧化物
(Oxide)
层击穿，以形成通路
。
该击穿过程是按照击穿条件进行的，其中，击穿条件可以包括但不限于：击穿时长
、
击穿电压
。
当击穿时长和
/
或击穿电压较小时，可能导致击穿失败
。
[0004]可以看出，上述击穿过程使用的击穿条件影响击穿效果，从而如何选取冗余位元的击穿条件是亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种位元击穿条件的确定方法及设备，以确定冗余位元的击穿条件
。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种位元击穿条件的确定方法，所述方法包括：
[0007]确定多个第一击穿条件；
[0008]根据每个所述第一击穿条件分别对对应的第一位元进行击穿，得到每个第一击穿条件的第一击穿结果，不同的所述第一击穿条件对应不同的所述第一位元；
[0009]根据所述第一击穿结果从所述多个第一击穿条件中确定第二击穿条件
。
[0010]可选地，所述第一击穿结果用于表示所述第一击穿条件击穿的多个第一位元分别是否已击穿，所述根据所述第一击穿结果从所述多个第一击穿条件中确定第二击穿条件，包括：
[0011]根据所述第一击穿结果确定所述第一击穿条件的击穿成功率；
[0012]从所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件中确定第二击穿条件
。
[0013]可选地，所述从所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件中确定第二击穿条件，包括：
[0014]将所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件作为第三击穿条件；
[0015]将满足预设条件的所述第三击穿条件确定为第二击穿条件，所述预设条件是针对至少一种参数的条件：误击穿率
、
电流差异
、
所述第一击穿条件包括的击穿时长
、
所述第一
击穿条件包括的击穿电压，所述电流差异为未击穿位元与已击穿位元之间的电流大小差异
。
[0016]可选地，针对所述误击穿率的条件包括以下至少一种：所述误击穿率小于或等于预设误击穿率
、
按照所述误击穿率升序排列在前
M
位；
[0017]针对所述电流差异的条件包括以下至少一种：所述电流差异大于或等于预设电流差异
、
按照所述电流差异降序排列在前
N
位；
[0018]针对所述击穿时长的条件包括以下至少一种：所述击穿时长小于或等于预设时长
、
按照所述击穿时长升序排列在前
L
位；
[0019]针对所述击穿电压的条件包括以下至少一种：所述击穿电压小于或等于预设电压
、
按照所述击穿电压升序排列在前
K
位
。
[0020]可选地，所述方法还包括：
[0021]若所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件不存在，则增大所述第一击穿条件包括的所述击穿时长和
/
或所述击穿电压，并进入所述根据每个所述第一击穿条件分别对对应的第一位元进行击穿，得到每个第一击穿条件的第一击穿结果的步骤
。
[0022]可选地，所述增大所述第一击穿条件包括的所述击穿时长和
/
或所述击穿电压，包括：
[0023]增大第一目标击穿条件中的击穿时长，所述第一目标击穿条件是所述击穿时长最大的一个或多个第一击穿条件；
[0024]和
/
或，增大第二目标击穿条件中的击穿电压，所述第二目标击穿条件是所述击穿电压最大的一个或多个第一击穿条件
。
[0025]可选地，所述将满足预设条件的所述第三击穿条件确定为第二击穿条件之前，还包括：
[0026]针对所述第三击穿条件确定待击穿的第二位元和所述第二位元之外的第三位元；
[0027]根据所述第三击穿条件对所述第二位元进行击穿，得到第二击穿结果；
[0028]根据所述第二击穿结果确定针对所述第三位元的误击穿率
。
[0029]可选地，所述第二击穿结果用于表示所述第三位元是否已击穿，所述根据所述第二击穿结果确定针对所述第三位元的误击穿率，包括：
[0030]确定所述第二位元和所述第三位元的总数量；
[0031]根据已击穿的第三位元的数量和所述总数量的比值，确定所述误击穿率
。
[0032]可选地，还包括：
[0033]若所述误击穿率满足对应的条件的第三击穿条件不存在，则减小所述第三击穿条件包括的击穿时长和
/
或击穿电压，并进入所述根据所述第三击穿条件对所述第二位元进行击穿，得到第二击穿结果的步骤
。
[0034]可选地，所述减小所述第三击穿条件包括的击穿时长和
/
或击穿电压，包括：
[0035]减小第三目标击穿条件中的击穿时长，所述第三目标击穿条件是所述击穿时长最小的一个或多个第三击穿条件；
[0036]和
/
或，减小第四目标击穿条件中的击穿电压，所述第四目标击穿条件是所述击穿电压最小的一个或多个第三击穿条件
。
[0037]可选地，所述第二位元的相邻位置处设置所述第三位元
。
[0038]可选地，所述第一击穿条件对应多个第一位元，同一所述第一击穿条件对应的多个所述第一位元位于冗余阵列的至少两个不相邻的区域中；
[0039]所述第三击穿条件对应多个第二位元，同一所述第三击穿条件对应的多个所述第二位元位于冗余阵列的至少两个不相邻的区域中
。
[0040]可选地，同一所述第一击穿条件对应的多个所述第一位元位于冗余阵列的两个中心对称的不相邻区域中；
[0041]同一所述第三击穿条件对应的多个所述第二位元位于冗余阵列的两个中心对称的不相邻区域中
。
[0042]可选地，所述将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种位元击穿条件的确定方法，其特征在于，包括：确定多个第一击穿条件；根据每个所述第一击穿条件分别对对应的第一位元进行击穿，得到每个第一击穿条件的第一击穿结果，不同的所述第一击穿条件对应不同的所述第一位元；根据所述第一击穿结果从所述多个第一击穿条件中确定第二击穿条件
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一击穿结果用于表示所述第一击穿条件击穿的多个第一位元分别是否已击穿，所述根据所述第一击穿结果从所述多个第一击穿条件中确定第二击穿条件，包括：根据所述第一击穿结果确定所述第一击穿条件的击穿成功率；从所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件中确定第二击穿条件
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述从所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件中确定第二击穿条件，包括：将所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件作为第三击穿条件；将满足预设条件的所述第三击穿条件确定为第二击穿条件，所述预设条件是针对至少一种参数的条件：误击穿率
、
电流差异
、
所述第一击穿条件包括的击穿时长
、
所述第一击穿条件包括的击穿电压，所述电流差异为未击穿位元与已击穿位元之间的电流大小差异
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，针对所述误击穿率的条件包括以下至少一种：所述误击穿率小于或等于预设误击穿率
、
按照所述误击穿率升序排列在前
M
位；针对所述电流差异的条件包括以下至少一种：所述电流差异大于或等于预设电流差异
、
按照所述电流差异降序排列在前
N
位；针对所述击穿时长的条件包括以下至少一种：所述击穿时长小于或等于预设时长
、
按照所述击穿时长升序排列在前
L
位；针对所述击穿电压的条件包括以下至少一种：所述击穿电压小于或等于预设电压
、
按照所述击穿电压升序排列在前
K
位
。5.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述击穿成功率大于或等于预设成功率阈值的第一击穿条件不存在，则增大所述第一击穿条件包括的所述击穿时长和
/
或所述击穿电压，并进入所述根据每个所述第一击穿条件分别对对应的第一位元进行击穿，得到每个第一击穿条件的第一击穿结果的步骤
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述增大所述第一击穿条件包括的所述击穿时长和
/
或所述击穿电压，包括：增大第一目标击穿条件中的击穿时长，所述第一目标击穿条件是所述击穿时长最大的一个或多个第一击穿条件；和
/
或，增大第二目标击穿条件中的击穿电压，所述第二目标击穿条件是所述击穿电压最大的一个或多个第一击穿条件
。7.
根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述将满足预设条件的所述第三击穿条件确定为第二击穿条件之前，还包括：针对所述第三击穿条件确定待击穿的第二位元和所述第二位元之外的第三位元；根据所述第三击穿条件对所述第二位元进行击穿，得到第二击穿结果；
根据所述第二击穿结果确定针对所述第三位元的误击穿率
。8.
根据权利要求7所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：江向前，汪锡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：