【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体结构，由若干个存储单元所组成。dram的发展追求高速度，高集成密度，低功耗等，随着半导体制造技术的飞速发展，半导体结构朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。
2、然而随着半导体结构的密度提高，工艺流程中dram关键尺寸的缩小，因此dram很容易出现电学性能变差的问题，导致dram的工作可靠性降低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开的主要目的在于提供一种半导体结构及其形成方法。
2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：
4、提供基底，所述基底中设置有多个有源区；
5、去除部分所述基底以在所述基底中形成凹槽，所述凹槽暴露部分所述有源区；
6、形成覆盖所述凹...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述凹槽中形成位线接触结构，包括：
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的顶部与所述位线接触结构的顶部的高度差为所述隔离结构的高度的1/4至1/3。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述位线接触结构上形成位线结构，包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述对所述第一导电层进行回刻蚀，以形成位线接触结构的同时，还包括：
6.根据权利要求5所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述凹槽中形成位线接触结构，包括：
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的顶部与所述位线接触结构的顶部的高度差为所述隔离结构的高度的1/4至1/3。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述位线接触结构上形成位线结构，包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述对所述第一导电层进行回刻蚀，以形成位线接触结构的同时，还包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述位线接触结构的位线堆叠结构，包括：
7.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述通过所述掩膜层对所述位线堆叠结构进行刻蚀，以形成位线结构，包括：
8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李松雨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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