摄像用的光电转换元件用材料以及光电转换元件制造技术

本发明专利技术提供一种实现摄像用的光电转换元件的高灵敏度化、高分辨率化的材料、以及提供一种使用所述材料的摄像用的光电转换元件。一种摄像用的光电转换元件用材料，包含Cz‑(Ar)<subgt;m</subgt;‑Cz所表示的双咔唑化合物。此处，Cz为咔唑基，Ar独立地为碳数6～30的芳香族烃基，m为3～6的整数。其中，Ar中的至少一个为由萘、菲、芘或苯生成的二价芳香烃基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光电转换元件用材料以及使用其的光电转换元件，特别涉及一种有效用于摄像设备的光电转换元件用材料。近年来，正推进使用由有机半导体形成的薄膜的有机电子设备的开发。例如，可例示电场发光元件、太阳电池、晶体管元件、光电转换元件等。特别是，这些中，作为基于有机物的电场发光元件的有机电致发光(electroluminescence，el)元件的开发最先进，在推进在智能手机或电视机(television，tv)等中的应用的同时，继续进行以更高功能化为目标的开发。在光电转换元件中，之前，使用硅等无机半导体的p-n结的元件的开发/实用化得以推进，正进行数字相机、智能手机用相机的高功能化研究、在监视用相机、汽车用传感器等中的应用的研究，作为用以应对这些各种用途的课题，列举有高灵敏度化、像素微细化(高分辨率化)。在使用无机半导体的光电转换元件中，为了获得彩色图像，主要采用在光电转换元件的受光部上配置与作为光的三原色的红绿蓝(red green blue，rgb)对应的彩色滤光片的方式。在所述方式中，由于将rgb的彩色滤光片配置于平面上，因此在入射光的利用效率或分辨率方面存在课题(非专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于：包含下述通式(1)所表示的咔唑化合物，

2.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，一个或两个Cz为下述式(6)所表示的咔唑基，

3.根据权利要求2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，一个或两个Cz为下述式(7)所表示的咔唑基，

4.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，Ar中的至少一个由所述式(3)～式(5)中的任一者表示。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其中，所述Ar中的至少一个为下述式(2a)、式(2b)、式(...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于：包含下述通式(1)所表示的咔唑化合物，

2.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，一个或两个cz为下述式(6)所表示的咔唑基，

3.根据权利要求2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，一个或两个cz为下述式(7)所表示的咔唑基，

4.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，ar中的至少一个由所述式(3)～式(5)中的任一者表示。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其中，所述ar中的至少一个为下述式(2a)、式(2b)、式(2c)、式(2d)、式(3a)、式(3b)、式(4a)、式(4b)、式(5a)或式(5b)中的任一者所表示的芳香族烃基，

6.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，m为3或4。

7.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其中，所述通式(1)中，一个或两个cz为下述式(1a)所表示的咔唑基，且所述ar中的至少一个由所述式(3)～式(5)表示，

8.根据权利要求7所述的光电转换元件用材料，其中，所述通式(1)中，一个或两个cz具有至少一个经取代或未经取代的碳数12～30的二芳基氨基、经取代或未经取代的碳数12～30的芳基杂芳基氨基、或者经取代或未经取代的碳数12～30的二杂芳基氨基作为取代基。

9.根据权利要求7所述的光电转换元件用材料，其中，所述通式(1)中，至少一个ar具有经取代或未经取代的碳数12～30的二芳基氨基、经取代或未经取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上栋智，林健太郎，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：