半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器技术

本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法、半导体结构及存储器。其中，半导体结构包括：多个下电极和N层支撑层。多个下电极分立于基底之上。N层支撑层设置于多个下电极之间，以支撑下电极，且沿其沉积方向依次排布；N大于等于2。其中，第1层至第N层支撑层的抗刻蚀性能逐层递增。本公开实施例能够降低下电极倒塌或者弯曲的风险，提高半导体结构整体的稳定性和良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及但不限于一种半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)是一种计算机中常用的半导体存储器件，包含排列成矩阵结构的多个存储单元，每个存储单元可由一个晶体管和一个由晶体管操控的电容结构组成，其中，电容结构的质量直接影响到dram的性能。相关技术中，电容结构出现倒塌或者弯曲的风险较大。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器，能够降低电容结构倒塌或者弯曲的风险，提高半导体结构整体的稳定性和良率。

2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：多个下电极，分立于基底之上；n层支撑层，设置于多个所述下电极之间，以支撑所述下电极，且沿其沉积方向依次排布；n大于等于2；其中，第1层至第n层所述支撑层的抗刻蚀性能逐层递增。

4、上述方案中，n层所述支撑层的材料包括：硅碳氮材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，N层所述支撑层的材料包括：硅碳氮材料；其中，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每层所述支撑层的碳含量，均大于等于0.24％，且均小于等于0.3％。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，N＝4；其中，第1层所述支撑层的碳含量为0.24％，第2层所述支撑层的碳含量为0.26％，第3层所述支撑层的碳含量为0.28％，第4层所述支撑层的碳含量为0.3％。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，n层所述支撑层的材料包括：硅碳氮材料；其中，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每层所述支撑层的碳含量，均大于等于0.24％，且均小于等于0.3％。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，n＝4；其中，第1层所述支撑层的碳含量为0.24％，第2层所述支撑层的碳含量为0.26％，第3层所述支撑层的碳含量为0.28％，第4层所述支撑层的碳含量为0.3％。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭敬云，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：