温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法、半导体结构及存储器。其中，半导体结构包括：多个下电极和N层支撑层。多个下电极分立于基底之上。N层支撑层设置于多个下电极之间，以支撑下电极，且沿其沉积方向依次排布；N大于等于2。其中，第1层至第N层...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。