实施方式的半导体存储装置具备：多个配线层，在半导体衬底上方介隔绝缘层而积层；第1及第2存储柱，贯通多个配线层；以及多个第1插头，底面分别与多个配线层相接。多个配线层具备：第1阵列区域，供第1存储柱贯通多个配线层；第2阵列区域，供第2存储...

实施方式提供一种能够提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：绝缘层(80)，设置在衬底上；导电层(35_3)，设置在绝缘层(80)内；导电层(35_4)，在绝缘层(80)内与导电层(35_3)相邻而设；及通孔(36)...

本发明提供一种能够使用PSID的识别信息C_PIN容易地初始化的存储器系统及信息处理系统。本实施方式的存储器系统具备：存储器区域，能够存储数据；控制器，控制所述存储器区域；第1保存部，在除从主机接收到指示所述存储器区域的初始化的初始化指...

半导体存储装置具备基板、包括第1导电层及第2导电层的第1布线层、设置于基板与第1布线层之间的第2布线层、以及设置于基板与第2布线层之间的存储器单元阵列层。存储器单元阵列层具备：多个第3导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；半导体层...

本发明的实施方式的半导体存储装置包含：半导体层，沿第1方向延伸；栅极电极层，含有选自由钨(W)、钼(Mo)、及钴(Co)所组成的群的至少一种金属元素；电荷蓄积层，设置在半导体层与栅极电极层之间；以及第1绝缘层，设置在电荷蓄积层与栅极电极...

本申请涉及一种用于管理NVMe OVER FABRIC设备中的虚拟NVMe实体的GUI的系统及方法。一种方法包含通过处理器使用户能创建虚拟子系统的配置指示。所述处理器使所述用户能在所述虚拟子系统的所述配置指示中创建与一个存储装置相关联的...

实施方式之一提供一种能够准确地判定可变电阻存储元件的电阻状态的存储装置。实施方式涉及的存储装置具备：第1布线、第2布线、包括可变电阻存储元件和开关元件的存储单元、以及控制所选择的存储单元所包括的可变电阻存储元件的电阻状态的判定动作的判定...

本发明的实施方式提供一种坏块增加得到抑制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)包括第1导电体层(31)及多个第2导电体层(35)，所述多个第2导电体层(35)位于所述第1导电体层的上方，且沿着第1方向积层。第1半导体层(372...

本申请涉及半导体芯片及其制造方法。半导体芯片包括形成在衬底上的半导体裸片、形成在所述衬底上的第一电力网格及形成在所述衬底上的与所述第一电力网格电隔离的第二电力网格。所述半导体芯片还包括形成在所述衬底上且电连接到所述第一电力网格的第一电路...

本揭示涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备积层膜，所述积层膜在第1方向上交替包含多个第1绝缘膜与多个电极层，且包含第1区域与第2区域。所述装置还具备柱状部，所述柱状部设置在所述第1区域内，在与所述多个电极层的交...

本申请涉及一种改进稳定性的电阻性PCB迹线。一种在印刷电路板(PCB)上延伸PCB迹线的方法。所述PCB包括多个PCB层。所述方法包括在所述多个PCB层中的至少一者上形成导电迹线；将所述导电迹线的第一部分耦合到在所述多个PCB层中的至少...

本公开涉及数据存储资源管理。一种数据中心中的资源管理系统包括一或多个数据存储资源提供者和交易服务器。所述交易服务器经配置以：从客户端接收对数据存储资源的读取和/或写入存取的请求，所述请求包括一或多个规范，以将所述请求的至少一部分提供给所...

实施方式提供一种能够使采用了贴合技术的半导体装置中接合垫的配置或配线呈现更好的形态的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备第1芯片，该第1芯片具有：第1衬底；控制电路，设置在所述第1衬底上；及第1焊垫，设置在所述控制电...

本实施方式提供一种能够将配线层恰当地连接于存储单元的半导体层的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；及多个电极层，设置在所述第1衬底的上方，且积层在第1方向。所述装置还具备：第1半导体层，在所述多个电极层内沿...

本公开涉及非易失性存储装置对主机任务的分担。各种实施方式涉及由非易失性存储器装置从主机接收包括非易失性存储器装置的装置环境信息的主机命令。装置环境信息包括每个非易失性存储器装置的缓冲器的地址。响应于接收到主机命令，在非易失性存储器装置之...

实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配设在与衬底的表面交叉的第1方向，且在与第1方向交叉的第2方向延伸；多个绝缘层，分别设置在多个导电层之间；半导体层，在第1方向延伸，与多个导电层...

本发明提供一种缩短数据传输时期的存储器系统。实施方式的存储器系统具备非易失性存储器、及能从所述非易失性存储器读出数据的存储器控制器，且所述非易失性存储器包含第1存储器裸片及第2存储器裸片，所述第1存储器裸片包含第1存储器面及第2存储器面...

本发明涉及一种图案形成方法、半导体装置的制造方法、及压印装置。实施方式的图案形成方法是将具有多个拍摄区域的衬底保持于具有吸附衬底的外缘部的第1吸附区域、与吸附外缘部的内侧区域的第2吸附区域的吸附卡盘上，多个拍摄区域遍及外缘部与内侧区域配...

本发明的课题是增加反应管内能够收纳的基板数。实施方式的基板处理装置具备舟皿、反应管以及第1臂和第2臂，舟皿能够将从收纳容器取出的多个基板排列保持在与多个基板的面交叉的第1方向上，反应管收纳舟皿，并能够处理多个基板，第1臂和第2臂用于搬运...

实施方式提供包括了具有高性能的存储单元的磁存储装置及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备下部电极、阻挡层、可变电阻层、上部电极以及第1层叠体。下部电极包含无定形碳或无定形氮化碳。阻挡层位于下部电极上，包含WN或WSiN。可变电...