本发明的半导体装置具备晶体管。存储单元阵列设置在晶体管的上方。第1半导体层设置在存储单元阵列的上方，具有存储单元阵列侧的第1面及与第1面为相反侧的第2面。第1金属配线设置在第2面的上方，且电连接于第1半导体层。第2金属配线在第2面的上方...

本发明提供一种能抑制芯片面积增加的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含：存储单元(MC)；第1电路(60e)，将基于信号(DQ)的第1位数据(V0)与电压(VREF)的比较结果的第1数据(DOPe)存储在第1锁存电路，基于第...

实施方式提供能够避免单元间相互干扰、削减写入缓冲器容量、抑制位错误率偏差的存储器系统。在存储器系统中，存储器系统内的存储器控制器：使非易失性存储器进行第1编程，以使得存储单元中的阈值区域根据第1位、第2位和第4位数据而成为表示数据已被擦...

本发明的实施方式涉及能够缩短成膜时间的成膜装置和成膜方法。实施方式的成膜装置具备：包含侧壁的腔室；设在腔室上部的喷淋头；设在腔室中并用于保持基板的保持器；向喷淋头供给第1气体的第1气体供给管；设在第1气体供给管上的第1阀；设在腔室的除喷...

本发明提供一种能够抑制峰值电流的半导体存储装置以及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具备：第一焊盘；时钟生成电路，生成第一时钟；输出电路，从所述第一焊盘输出所述第一时钟；指定电路，将基于所述第一时钟而生成的多个时隙中的一个指定为特定时...

本发明提供一种半导体存储装置，尽管构成为能够进行切换信号的占空比的修正，却仍能抑制大型化。半导体存储装置(2)具备：比较器(51)，产生并输出与来自外部的读取赋能信号(RE)同步切换的信号(RE＿in)；及修正电路(60)，调整信号(R...

本发明的一实施方式提供一种提高了可靠性的半导体存储装置。半导体存储装置包含：存储胞阵列(17)，包含多个存储胞(MC)；字线(WL)，连接于多个存储胞；多个位线(BL)，分别连接于多个存储胞；感测放大器(19)，连接于多个位线；及控制器...

本发明提供一种能够选择性利用和不同种类的接口对应的多个区域的存储器系统及控制非易失性存储器的方法。当从主机接收到的读取请求包含表示第一区域的第一标识符时，实施方式的存储器系统从接收到的读取请求获取逻辑地址，并从逻辑物理地址转换表获取和所...

本发明涉及一种能够良好地洗净衬底收纳用容器的洗净装置、及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，洗净装置具备温度调整部，该温度调整部通过将对衬底收纳用容器进行洗净的第1流体加热、及/或将对所述容器进行洗净的第2流体冷却，而供给具有第1温度...

本发明提供一种高可靠性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：第1半导体元件；第1绝缘树脂，将所述第1半导体元件密封；配线衬底，具有焊盘；第1配线，从所述第1半导体元件向所述配线衬底延伸，具有第1头部与第1柱部，所述第1柱部...

实施方式提供一种能够容易地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个存储块(BLK)，排列在第1方向(Y)上；以及多个位线(BL)，在第1方向上延伸，排列在第2方向(X)上，且与多个存储块排列在第3方向(Z)上。多个存储块...

实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间，...

半导体装置包括第1导电体(25a)、第2导电体(25b)及第1绝缘体(DP)。第1导电体包括在第1方向上延伸的第1部分(HL)和包括从第1部分的端部在与第1方向交叉的第2方向上延伸的部分的第1焊盘部(PP1

实施方式提供一种能够容易地判别贴合垫间的短路不良与存储器柱间的短路不良的半导体存储装置。本实施方式的半导体存储装置具备第1芯片、第2芯片、及多个贴合垫。第1芯片具有在第1方向上贯通多个配线层的多个存储器柱。第2芯片与第1芯片贴合。多个贴...

本发明的实施方式提供一种能达成高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备经由多个贴合电极而贴合的第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底。第2芯片具备多个第1导电层、与多个第1导电层对向的多个半导体层、包含多个位线的第1配...

一实施方式的存储装置包含第1导电体、第1存储器柱、第2导电体、第3导电体、第2存储器柱、第4导电体及第5导电体。第1导电体沿着第1轴及第2轴扩展。第1存储器柱设置在第1导电体的内部，包含第1半导体及第1半导体周围的电荷蓄积层。第2导电体...

实施方式提供具有更小的面积的存储装置。在实施方式的存储装置中，多个第1导电体相互分离而沿着第1轴排列。存储柱沿着第1轴延伸，与多个第1导电体相对向，包括半导体和将半导体包围的膜。多个接触插塞沿着第1轴延伸，各自包括第2导电体和将第2导电...

提供良好地动作的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：宽度为第一宽度的多个第一导电层，其在第一方向及与第一方向相交的第二方向上排列，或在第一方向上排列并在第二方向上延伸；第二导电层，其与多个第一导电层在第一方向或第二方向上排列，第一方...

实施方式提供能够实现制造的效率化的存储器器件。实施方式的半导体器件具备：第一芯片(10)，包含第一通孔(VB)；以及第二芯片(11)，包含第二通孔(CB)，经由通孔(VB)、(CB)与第一芯片电连接，且在与第一面(BF)垂直的第一方向上...

半导体存储装置具备多个导电层、与多个导电层对向的半导体层、及设置于它们之间的栅极绝缘膜。当将第1导电层的第1方向上的一侧的面所对应的位置设为第1位置，将第1导电层的第1方向上的另一侧的面所对应的位置设为第2位置，将第1位置及第2位置的中...