半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置具备晶体管。存储单元阵列设置在晶体管的上方。第1半导体层设置在存储单元阵列的上方，具有存储单元阵列侧的第1面及与第1面为相反侧的第2面。第1金属配线设置在第2面的上方，且电连接于第1半导体层。第2金属配线在第2面的上方设置在与第1金属配线相同的层中，且不与第1金属配线及第1半导体层接触。第1接点设置在第1金属配线的下方，在从第1面朝向第2面的第1方向上延伸，将多个晶体管中的一个电连接于第1金属配线。第2接点设置在第2金属配线的下方，在第1方向上延伸，将多个晶体管中的另一个电连接于第2金属配线。个晶体管中的另一个电连接于第2金属配线。个晶体管中的另一个电连接于第2金属配线。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001][相关申请案的引用][0002]本申请案基于2022年04月28日提出申请的在先日本专利申请案第2022
‑
74771号、及2022年12月21日提出申请的在先日本专利申请案第2022
‑
204771号的优先权而主张优先权利益，通过引用将其全部内容并入本文中。


[0003]本实施方式涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0004]已知有在CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补式金属氧化物半导体)电路的上方设置存储单元阵列的半导体装置。对于这种半导体装置，提出了如下构造，即，在存储单元阵列上设置半导体源极层，进而在该半导体源极层上设置金属源极线。通过将金属源极线连接于半导体源极层，而使整个源极层的电阻降低。但是，构成金属源极线的金属层仅作为源极线使用，而无法用于其它用途。

技术实现思路

[0005]一实施方式提供一种将设置在半导体的源极层上的金属层不仅用作源极线还能够用于其它用途的半导体装置。
[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：多个晶体管；存储单元阵列，设置在所述多个晶体管的上方；第1半导体层，设置在所述存储单元阵列的上方，具有所述存储单元阵列侧的第1面及与所述第1面为相反侧的第2面；第1金属配线，设置在所述第2面的上方，电连接于所述第1半导体层；第2金属配线，在所述第2面的上方设置在与所述第1金属配线设置相同的层中，且不与所述第1金属配线及所述第1半导体层接触；第1接点，设置在所述第1金属配线的下方，在从所述第1面朝向所述第2面的第1方向上延伸，将所述多个晶体管中的一个电连接于所述第1金属配线；以及第2接点，设置在所述第2金属配线的下方，在所述第1方向上延伸，将所述多个晶体管中的另一个电连接于所述第2金属配线。2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备设置在所述第1半导体层上的第1绝缘层，所述多个第2金属配线设置在所述第1绝缘层上，通过该第1绝缘层而与所述第1半导体层电分离。3.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备设置在所述第1半导体层上的第1绝缘层，所述多个第1金属配线设置在所述第1绝缘层上，经由设置在该第1绝缘层的多个第3接点而电连接于所述第1半导体层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述多个第1金属配线及所述多个第2金属配线朝向与所述第2面平行的第2方向延伸。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中在从所述第1方向观察的俯视下，所述第1金属配线与所述第2金属配线朝向与所述第1方向及所述第2方向大致正交的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田秀雄，滨中启伸，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：