一种半导体结构的制作方法及其结构技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法可以包括：提供基底，基底包括沿第一方向延伸的字线及沿第二方向延伸的有源区；在基底上形成初始掩膜；在初始掩膜层上形成多个间隔排布的第一图形层，第一图形层沿第三方向延伸；以第一图形层为掩膜，图形化初始掩膜；在图形化后的初始掩膜上形成多个间隔排布的第二图形层，第二图形层沿第四方向延伸；以第二图形层为掩膜，图形化初始掩膜，形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，图形化所述基底，在所述基底的有源区中形成位线接触图案。至少可以降低形成位线接触图案的形成难度。低形成位线接触图案的形成难度。低形成位线接触图案的形成难度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制作方法及其结构


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法及其结构。

技术介绍

[0002]存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(Random Access Memory，RAM)可分为动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。
[0003]每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线相连、源极与电容器相连，晶体管与位线经由位线接触结构相连，电容器与位线经由电容接触窗相连。
[0004]形成位线接触结构前需要先形成位线接触图案，然而目前在形成位线接触图案的过程中存在形成难度大的问题。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法及其结构，至少有利于降低形成位线接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向延伸的字线及沿第二方向延伸的有源区，所述第一方向与所述第二方向不同；在所述基底上形成初始掩膜；在所述初始掩膜上形成多个间隔排布的第一图形层，所述第一图形层沿第三方向延伸；以所述第一图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜；在图形化后的所述初始掩膜上形成多个间隔排布的第二图形层，所述第二图形层沿第四方向延伸，所述第三方向与所述第四方向不同；以所述第二图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜，形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，图形化所述基底，在所述基底的所述有源区中形成位线接触图案。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角为第一夹角，所述第三方向与所述第四方向之间的夹角为第二夹角，且所述第一夹角与所述第二夹角满足其中，α为所述第一夹角，β为所述第二夹角。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一夹角的范围为60
°
～80
°
或者100
°
～120
°
。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述初始掩膜包括依次层叠设置的第一初始掩膜以及第二初始掩膜，且所述第一初始掩膜的材料与所述第二初始掩膜的材料不同；以所述第一图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜的方法包括：刻蚀至少部分厚度的所述第二初始掩膜，以图形化所述初始掩膜。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，以所述第二图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜的方法包括：刻蚀至少部分厚度的所述第一初始掩膜，以图形化所述初始掩膜。6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，所述第一初始掩膜的材料包括二氧化硅，所述第二初始掩膜的材料包括氮氧化硅。7.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，在形成所述第二初始掩膜之前，还包括：在所述第一初始掩膜表面形成第一中间层；以所述第二图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜之前，还包括：以所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉雷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：