半导体结构及半导体结构的制造方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底；位于基底上的第一晶体管，包括第一半导体层、第一栅极、第一电极及第二电极，第一栅极至少绕第一半导体层侧壁设置，第一电极和第二电极分别与第一半导体层的两端电接触；位于第一晶体管远离基底一侧的第二晶体管，包括第二半导体层、第二栅极、第三电极及第四电极，第二栅极绕第二半导体层侧壁设置，第三电极和第四电极分别与第二半导体层的两端电接触；第三电极与第一栅极电接触，第一半导体层与第二半导体层均沿第一方向延伸，第一方向与基底朝向第一晶体管的表面相交。本公开实施例至少有利于在保证半导体结构占据较小的布局空间的同时，提高半导体结构的性能。导体结构的性能。导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]常见的动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)为1T1C类型，即一个晶体管源极或漏极与一个电容电连接组成一个存储单元结构。该结构利用电容来存储数据，但由于读取时会消耗电容的电量，且电容本身也会漏电，因此需要不断地刷新电容中的电荷，使得DRAM的功耗较大，且电学性能不稳定。同时由于制造电容的工艺占用面积较大，尺寸微缩也成为难题。
[0003]为克服电容带来的难题，2T0C类型的存储单元结构被应用，即一个晶体管源极或漏极与另一个晶体管的栅极电连接组成一个存储单元结构。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，至少有利于在保证半导体结构占据较小的布局空间的同时，提高半导体结构的性能。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基底；位于所述基底上的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、第一电极以及第二电极，所述第一栅极至少绕所述第一半导体层的部分侧壁设置，所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一半导体层的两端电接触；位于所述第一晶体管远离所述基底一侧的第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极、第三电极以及第四电极，所述第二栅极至少绕所述第二半导体层的部分侧壁设置，所述第三电极和所述第四电极分别与所述第二半导体层的两端电接触，且所述第三电极位于所述第二半导体层邻近所述基底一侧；其中，所述第三电极与所述第一栅极电接触，所述第一半导体层与所述第二半导体层均沿第一方向延伸，所述第一方向与所述基底朝向所述第一晶体管的表面相交。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极位于所述第一半导体层邻近所述第二晶体管一侧，所述第二电极与所述第三电极沿第二方向交替设置，所述第一半导体层与所述第二半导体层沿所述第二方向交替设置，所述第二方向与所述第一方向相交。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电极与所述第一半导体层侧壁的所述第一栅极的顶面接触，或者，所述第三电极与所述第一半导体层侧壁的所述第一栅极的侧壁接触。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极位于所述第一半导体层邻近所述第二晶体管一侧，所述第一栅极还绕所述第二电极沿第二方向的相对侧壁设置，且还位于所述第二电极顶面上方，所述第三电极与位于所述第二电极顶面上方的所述第一栅极接触，所述第二方向与所述第一方向相交。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述第一栅极与所述第二电极之间。6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体结构，其特征在于，半导体结构包括沿第二方向和第三方向间隔排布的多个所述第一晶体管和多个所述第二晶体管，所述第一方向、所述第二方向与所述第三方向两两相交；半导体结构还包括：第一字线，所述第一字线沿所述第二方向延伸且与沿所述第二方向排布的多个所述第一电极电接触；第一位线，所述第二电极沿所述第三方向延伸并与沿所述第三方向排布的所述第一半导体层的一端电接触，以构成所述第一位线；第二字线，所述第二栅极沿所述第二方向延...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾婷婷，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：