【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、存储结构中的存储单元用于存储数据，包含多个存储单元的存储阵列是存储结构中的主要部分，由于其面积占比较大，因此其制备工艺和具体结构对存储结构的最终成本会产生较大的影响。
技术实现思路
1、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：多个存储单元，每一所述存储单元包括第一传输管，所述第一传输管的栅极与字线连接，所述第一传输管的源极与电容连接，所述第一传输管的漏极与位线连接；多层存储阵列，每层所述存储阵列包括至少一个所述存储单元，不同层的所述存储单元连接不同的所述字线，每一所述字线的第一端均连接对应的一个第二传输管的源极，所述第二传输管的栅极连接第一控制线，所述第二传输管的漏极用于接收第一控制信号，所述第一控制线的延伸方向与所述第一传输管的沟道方向相同。
2、在一些实施例中，半导体结构包括：堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间具有接触面，所述存储单...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间具有接触面，所述存储单元设置于所述第一半导体结构内，所述第二半导体结构包含用于放大所述位线中数据的放大器，所述位线的延伸方向垂直于所述接触面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一重布线结构和第一延伸线，所述第一重布线结构用于连接所述第一控制线和所述第一延伸线，以使得所述第一控制线通过所述第一延伸线与所述第二半导体结构电连接，所述第一延伸线的延伸...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间具有接触面，所述存储单元设置于所述第一半导体结构内，所述第二半导体结构包含用于放大所述位线中数据的放大器，所述位线的延伸方向垂直于所述接触面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一重布线结构和第一延伸线，所述第一重布线结构用于连接所述第一控制线和所述第一延伸线，以使得所述第一控制线通过所述第一延伸线与所述第二半导体结构电连接，所述第一延伸线的延伸方向垂直于所述接触面。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一重布线结构的延伸方向垂直于所述第一控制线的延伸方向，且平行于所述字线的延伸方向。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多个第一驱动电路，每一所述第一驱动电路的输出端与对应的所述第二传输管的漏极连接，所述第一驱动电路用于输出所述第一控制信号。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，每一所述位线与每一层所述存储阵列的至少一个所述存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：司书芳，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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