【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法。
技术介绍
1、碳化硅功率开关器件（以下简称器件）具备工作频率高、工作电压高、输出功率大等优越性能，可实现系统体积大幅度缩小、效能成倍提升，在新能源汽车、新能源发电、电网、轨道交通等领域获得了广泛应用。
2、短路耐量，又称短路耐受时间，是衡量器件耐受短路能力的可靠性指标。当器件处于短路时，其沟道为开通状态，漏极电压为母线电压，器件处于高压大电流状态，在短时间内器件将产生大量的热，在短路耐受时间内，器件可以承受高压大电流而不损坏。
3、现有短路耐量加固方案主要有两种，一种是在源极（对于碳化硅igbt是发射极）额外引入串联的轻掺杂源，轻掺杂源电阻比常规源大，当发生短路时，大电流在轻掺杂源上产生较大压降，降低了有效栅源电压，从而降低双输出电流，其问题是工艺复杂，需额外增加多步工艺；另一种是通过增大jfet区电阻来抑制大电流，其缺点是提升幅度有限且工艺窗口小，jfet电阻偏大和偏小均会导致短路耐量变低。
技术实...
【技术保护点】
1.一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构，其特征在于：碳化硅功率开关器件结构的栅源电压VGS计算公式包括：
3.根据权利要求1所述的一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构，其特征在于：所述第一导电类型源区的掺杂浓度范围为1e19cm-3 ~ 5e20cm-3。
4.根据权利要求1所述的一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构，其特征在于：第一导电类型源区的宽度为S2，S2≥10um，第一导电类型源区的长度为S3，S3≥0.2um。
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