【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器领域，特别涉及一种铁电存储器及其制备方法。
技术介绍
1、铁电存储器(fram)是一种非易失性存储器，具有超快速、低功耗、小尺寸、结构简单、易于集成等优点。铁电材料因其电可擦除、可编程及依赖于自发极化的非挥发性存储能力，成为应用于存储器件的理想材料。萤石结构的hzo材料是一种新型的铁电材料，又具有优异的cmos工艺兼容性，且不含pb等元素对环境的污染小，因而具有非常广阔的应用场景。基于铁电材料的随机存取存储器(fram)使用1个晶体管-1个铁电电容器(1t-1fc)架构，其中铁电电容作为信息存储设备。现有的fram读取策略为：信息存储在图1中的1点或者3点，在读操作时，在板线上施加一个电压脉冲，铁电电容的极化状态将根据所存储的数据，分别从图中的1点或者3点位置沿电滞回线达到4点。当从3到4点时，铁电电容的极化方向发生翻转，产生较大的电流脉冲；而从1点到4点时，铁电电容的方向未发生翻转，电流脉冲较小。最后，通过敏感放大器鉴别出数据，完成信号的读出。铁电薄膜完成读操作之后，其状态发生了改变，因此还需将读出的数据重新写回，...
【技术保护点】
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括反铁电电容，所述反铁电电容包括依次堆叠的底电极、反铁电层和顶电极；
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述底电极采用W，Ti，Ta，Ru，Pd、TiN，TaN，IrO2中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，所述顶电极采用W，Ti，Ta，Ru，Pd、TiN，TaN，IrO2中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，所述底电极厚度为20～100nm。
5.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，所述顶电极厚度为20～10
【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括反铁电电容，所述反铁电电容包括依次堆叠的底电极、反铁电层和顶电极；
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述底电极采用w，ti，ta，ru，pd、tin，tan，iro2中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，所述顶电极采用w，ti，ta，ru，pd、tin，tan，iro2中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，所述底电极厚度为20～100nm。
5.根据权利要求3所述的铁电存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗庆，王博平，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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