一种富含氧空位的低氧态氧化钼空穴传输层及其在光电器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种富含氧空位的低氧态氧化钼空穴传输层及其在光电器件中的应用。本发明专利技术利用MoO2粉末作为热蒸镀材料，采用热蒸镀法将Mo4+引入阳极界面层，构建不同阳离子氧化态的MoOx阳极界面层以提高器件的光伏性能及稳定性，可有效用于聚合物光电性能评估和器件稳定性研究。本发明专利技术采用具有不同阳离子氧化态的二氧化钼作为倒置或正向聚合物太阳能电池阳极界面层，光电转换效率高、存储稳定好、实验重复性好等特点，可有效用于聚合物光电性能评估和器件稳定性研究。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种富含氧空位的低氧态氧化钼空穴传输层及其在光电器件中的应用，属于聚合物光电子器件领域。

技术介绍

1、有机太阳能电池(organic photovoltaics，opvs)因其重量轻、成本低、工艺灵活、可印刷生产等突出优点，引起了人们的广泛关注。目前，基于实验室尺寸的小面积有机太阳能电池的功率转化效率(pce)已超过19％[zhu,l.et al.nat.mater.2022,21,656-663.；wang,j.q.er al.adv.mater.2023,35,2301583.]，具有良好的实际应用前景。界面层作为有机太阳能电池的重要组成部分，具有调节电极与活性层之间能垒，形成良好的欧姆接触、提高载流子收集效率、避免电极与活性层之间反应等作用，对提高opv电学性能及稳定性具有重要意义，针对界面层材料研究开发同样十分重要。其中，过渡金属氧化物可以作为阳极界面层或阴极界面层来增强有机分子的电荷交换，如moo3、v2o5、nio和wo3[m,qiu.etal.mater.chem.a.2016,4,894.；w,xu.etal.mater.c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.二氧化钼薄膜在作为光电器件的阳极界面层中的应用；

2.一种光电器件，其特征在于：所述光电器件的阳极界面层为二氧化钼薄膜。

3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于：所述阳极界面层的厚度为0～100nm。

4.根据权利要求2或3所述的光电器件，其特征在于：所述光电器件的结构为下述1)或2)所示：

5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于：所述透明导电电极为含有氧化铟锡的玻璃或薄膜；

6.根据权利要求4或5所述的光电器件，其特征在于：所述阴极界面层的材料选自氟化锂、氧化锌、钛配合物和PFN中的任一种。

7.根...

【技术特征摘要】

1.二氧化钼薄膜在作为光电器件的阳极界面层中的应用；

2.一种光电器件，其特征在于：所述光电器件的阳极界面层为二氧化钼薄膜。

3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于：所述阳极界面层的厚度为0～100nm。

4.根据权利要求2或3所述的光电器件，其特征在于：所述光电器件的结构为下述1)或2)所示：

5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于：所述透明导电电极为含有氧化铟锡的玻璃或薄膜；

6.根据权利要求4或5所述的光电器件，其特征在于：所述阴极界面层的材料选自氟化锂、氧化锌、钛配合物和pfn中的任一种。

7.根据权利要求4或5所述的光电器件，其特征在于：所述光电活性层中，电子给体材料选自聚(对亚苯基亚乙烯)类聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯剑辉，康倩，侯好，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：