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本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法。一种铁电存储器，其包括反铁电电容，所述反铁电电容包括依次堆叠的底电极、反铁电层和顶电极；其中，反铁电层采用HZO，并且铪Hf与锆Zr的摩尔比为2:8～3:7。本发明能够解决铁电存储器破坏性读取的问题。...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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