【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。
技术介绍
1、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(sic mosfet)由于其优异的高温性能、高电压耐受能力和低导通电阻，已经成为现代半导体
的关键元件。
技术实现思路
1、本申请提出一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，用于提高半导体器件的整体性能。
2、为达到上述目的，本申请的实施例提供了如下技术方案：
3、一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括半导体本体、栅极、二维材料层、源极和漏极。半导体本体被设置为第一导电类型，半导体本体包括相对的第一表面和第二表面，半导体本体还包括被设置为第一导电类型的第一区域，第一区域设置于第一表面，半导体本体还包括被设置为第二导电类型的阱区，阱区设置于第一区域的远离第一表面的一侧。栅极设置于第一表面上。二维材料层设置于半导体本体与栅极之间，二维材料层包括第一层和第二层，第一层设置为第一导电类型，且位于半导体本体与栅极之间...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一层的材料包括黑磷、过渡金属硫化物、铟硒化合物中的至少一种，所述第一层中还掺杂有氮离子或磷离子中的至少一种；
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述半导体本体与所述栅极之间的栅极绝缘层，所述二维材料层设置于所述栅极绝缘层与所述栅极之间。
4.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，形成所述二维材料层，包括：
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一层的材料包括黑磷、过渡金属硫化物、铟硒化合物中的至少一种，所述第一层中还掺杂有氮离子或磷离子中的至少一种；
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述半导体本体与所述栅极之间的栅极绝缘层，所述二维材料层设置于所述栅极绝缘层与所述栅极之间。
4.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，形成所述二维材料层，包括：
6.根据权利要求5所述的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢柳，史田超，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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