【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。
技术介绍
1、基于车规器件的封装需求，对材料选择、封装形式以及散热效率等方面提出了严格的要求。常规的正面al及al合金材料在打线过程中，特别是使用cu线或铜带以及ag线时，可能存在粘附性和可靠性问题。au具有良好的导电性和粘附性，但属于重金属，操作不当易造成产线污染。cu具有高导电性和高热导率，但cu金属化工艺流程复杂，需要增加相应的设备投入。
2、ag具有良好的导电性和粘附性，且对现有产线兼容性好。考虑金属ag的化学活性较高，若在第一层金属al沉积完成后立即沉积ag，或者在钝化层沉积完成后沉积金属ag，后续经过刻蚀工艺和pi固化，ag会发生氧化反应，因此无法实现该工艺。若将ag工艺放在所有工艺之后，由于是薄片作业，碎片率高，且背部电极易发生划伤。
技术实现思路
1、本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，用于保证接触电极的完整性和稳定性。
2、为达到上...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔在所述第一表面上的正投影的外边界，与所述第二接触孔在所述第一表面上的正投影的外边界重合。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料包括金属材料。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述接触电极的材料包括银；
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括钝化层，所述钝化层设置于所述保护层与所述绝缘层之间；
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔在所述第一表面上的正投影的外边界，与所述第二接触孔在所述第一表面上的正投影的外边界重合。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料包括金属材料。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述接触电极的材料包括银；
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括钝化层，所述钝化层设置于所述保护层与所述绝缘层之间；
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一粘附层和第二粘附层，所述第一粘附层和所述第二粘附层设置于所述源极与所述接触电极之间。
【专利技术属性】
技术研发人员：李小昆，史田超，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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