【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及dram单元及其制造方法；更具体来说，涉及包括位于晶体管背面的电容器的dram单元。
技术介绍
1、存储器件被广泛地用于多种应用上。在存储器件中有许多串联连接的存储器单元以形成阵列而用于存储数据。有两种主要的存储器单元类型，一种是非挥发性存储器单元，例如只读存储器(rom)单元、可擦除可编程只读存储器(erasable programmable readonly memory，eprom)单元和电可擦除可编程只读存储器(electrically erasableprogrammable read only memory，eeprom)单元，而另一种是挥发性存储器单元，例如动态随机存取存储器(dram)单元和静态随机存取存储器(sram)单元。
2、由于有着较大的存储容量和较低的成本，dram是最广泛被使用的记忆存储设备之一，并在暂存数据上扮演着重要的角色以便利且快速存取数据。传统的dram单元中可包括晶体管和电容器(1t1c结构)，通过充电和放电电容器，dram单元处于“1”或“0”态，并且该晶体管控制数据的存取。...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一介电层的厚度介于约2nm至约700nm的范围内。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第一源极区域和所述第二源极区域之间的隔离结构。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一介电层与所述隔离结构重叠并与所述隔离结构接触。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中在所述第一介电层和所述第一单元区域之间的第一介面横向延伸跨过所述第一源极区域、所述第一漏极区域和所述第一本体区域；在所述第一介电层和所述第二单元区域之间的第二介面横向延伸跨过...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一介电层的厚度介于约2nm至约700nm的范围内。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第一源极区域和所述第二源极区域之间的隔离结构。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一介电层与所述隔离结构重叠并与所述隔离结构接触。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中在所述第一介电层和所述第一单元区域之间的第一介面横向延伸跨过所述第一源极区域、所述第一漏极区域和所述第一本体区域；在所述第一介电层和所述第二单元区域之间的第二介面横向延伸跨过所述第二源极区域、所述第二漏极区域和所述第二本体区域；并且在所述第一介电层和所述隔离结构之间的第三介面由所述第一介面延伸至所述第二介面。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一介面、所述第二介面和所述第三介面共同形成平面度小于2μm且平滑度小于2nm的平坦介面。
7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述半导体层的所述第一侧上的第三电容器和第四电容器，其中所述第三电容器电性连接至所述第一源极区域，并且所述第四电容器电性连接至所述第二源极区域。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一介电层包括蚀刻终止层，所述蚀刻终止层包括氮化硅或氮氧化硅。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一介电层包括中间层，所述中间层包括氧化硅或低k介电材料。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一电容器包括电性连接至所述第一源极区域的第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的电容器介电质。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括多晶硅、金属或导电金属化合物。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其中所述电容器介电质包括高k材料。
13.如权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一电极为容器形、柱形、多鳍形或平板形。
14.如权利要求1所述的半导体结构，还包括延伸穿过所述第一介电层的第一接触结构以及延伸穿过所述第一介电层的第二接触结构，其中所述第一电容器通过所述第一接触结构电性连接至所述第一源极区域，并且所述第二电容器通过所述第二接触结构电性连接至所述第二源极区域。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一接触结构的高度基本上等于所述第一介电层的厚度。
16.如权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一接触结构的高度介于大约2nm至约700nm的范围内。
17.如权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构之间的横向间距小于最小临界尺寸的2.5倍。
18.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体层...
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