【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外光电器件及制备，具体涉及一种红外探测器及其制备方法。
技术介绍
1、红外探测器在夜视、气体检测、气体检测、光通信、医疗诊断、污染监测、矿藏探测等领域具备着广泛的应用潜力。随着红外探测技术的不断发展，新一代红外探测器要求具备高响应度、低噪声水平、宽光谱探测、大规模面阵等技术特点。
2、在红外探测器中引入内部光电增益可以有效提高探测器响应度，目前主流内部光电增益技术为雪崩光电二极管(apd)技术，apd的雪崩增益机制需要其工作于极高偏压下，且引入过量噪声导致探测性能受限。得益于带间吸收的吸收区与双势垒共振隧穿内部增益结构的结合，基于共振隧穿结构的红外探测器(pdrtd)可以避免上述问题，但现有的pdrtd仍受限于单一吸收区材料的截止波长，难以实现探测波段的宽光谱覆盖。
3、此外，上述红外探测器结构通常外延生长于晶格匹配的inp，gasb衬底上，这些衬底成本较高且受限于衬底的尺寸不利于大规模集成，需要衬底转移至成本较低，大尺寸的si衬底或gaas衬底上。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种红外探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述衬底（10）为Si材料或半绝缘GaAs材料。
3.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述吸收材料为GaAs、GaSb、InAs、InGaAs、InAsSb、InGaAsSb中的至少两种组合，所述第一吸收区（205）的截止波长大于所述第二吸收区（203）的截止波长。
4.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，当所述第二吸收区（203）和所述第一吸收区（205）的晶格不匹配时，所述红外探测器还包括在所述第二吸收区（203）和所述第...
【技术特征摘要】
1.一种红外探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述衬底（10）为si材料或半绝缘gaas材料。
3.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述吸收材料为gaas、gasb、inas、ingaas、inassb、ingaassb中的至少两种组合，所述第一吸收区（205）的截止波长大于所述第二吸收区（203）的截止波长。
4.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，当所述第二吸收区（203）和所述第一吸收区（205）的晶格不匹配时，所述红外探测器还包括在所述第二吸收区（203）和所述第一吸收区（205）之间设置的缓冲层（204），其中，所述缓冲层（204）与所述第二吸收区（203）和所述第一吸收区（205）之间的异质结为一型带隙。
5.根据权利要求4所述的红外探测器，其特征在于，所述材料层（20）还包括：
6.根据权利要求5所述的红外探测器，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴东海，庞秋瑶，杨孟骐，徐应强，倪海桥，牛智川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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