【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种探测器及其制作方法。
技术介绍
1、红外探测器可实现高灵敏度、高响应光谱探测，被广泛应用于安全监测、光谱分析、工业探测等领域。现有的p-i-n结构ingaas焦平面探测器存在无增益、灵敏度低的问题。而增益型的雪崩光电二极管(apd)结构ingaas焦平面探测器存在功耗高、雪崩噪声大的问题。另外，inp衬底还会对可见光波段造成额外损耗，影响器件性能。因此，亟需提供一种高增益低功耗宽光谱的探测器。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本专利技术提供了高增益低功耗宽光谱的探测器及其制作方法。
2、根据本专利技术的第一个方面，提供了一种探测器，包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路，所述探测器阵列芯片通过所述铟柱阵列与所述读出电路连接，所述探测器阵列芯片包括第一腐蚀截止层、第二腐蚀截止层、npn晶体管阵列、发射区接触层以及电极层；所述第一腐蚀截止层位于所述铟柱阵列远离所述读出电路的一侧；所述第二腐蚀截止层位于所述第一腐蚀截止层靠近所述铟柱阵列的一侧；所述...
【技术保护点】
1.一种探测器，其特征在于，包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路，所述探测器阵列芯片通过所述铟柱阵列与所述读出电路连接，所述探测器阵列芯片包括：
2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述NPN晶体管阵列包括：
3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述探测器阵列芯片还包括第一过渡层，所述第一过渡层位于所述第二腐蚀截止层和所述第一N电极层之间。
4.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述探测器阵列芯片还包括第二过渡层和第三过渡层，所述第二过渡层位于所述P电极层和所述第二N电极层之间，所述第三过渡层位于所述第二N...
【技术特征摘要】
1.一种探测器，其特征在于，包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路，所述探测器阵列芯片通过所述铟柱阵列与所述读出电路连接，所述探测器阵列芯片包括：
2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述npn晶体管阵列包括：
3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述探测器阵列芯片还包括第一过渡层，所述第一过渡层位于所述第二腐蚀截止层和所述第一n电极层之间。
4.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述探测器阵列芯片还包括第二过渡层和第三过渡层，所述第二过渡层位于所述p电极层和所述第二n电极层之间，所述第三过渡层位于所述第二n电极层和所述发射区接触层之间。
5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述探测器阵列芯片还包括接触孔，所述接触孔从所述发射区接触层延伸至所述第二腐蚀截止层远离所述第一腐蚀截止层的一侧表面；
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋国峰，庄凌云，刘利宁，王鑫刚，刘建国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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