一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器制造技术

本发明专利技术提供一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，涉及激光技术领域。窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器包括封装壳体、增益芯片、准直透镜组件、标准具组件、体布拉格光栅以及激光输出组件，封装壳体的内部具有空腔，增益芯片、准直透镜组件、标准具组件以及体布拉格光栅均设置于空腔内。通过采用体布拉格光栅作为选模反馈元件，能够结合增益曲线选出单纵模；通过在准直透镜组件与体布拉格光栅之间的激光光路上设置标准具组件，标准具组件可以提高激光谐振腔的Q值，并压缩激光线宽，可使激光线宽达到kHz量级，输出功率达到数十mW，使激光器整具备结构紧凑、稳定性高和环境适应性强的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光，尤其涉及一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器。

技术介绍

1、窄线宽激光器是指输出激光的频谱宽度极窄，通常在khz量级的激光器，其在信号调制相干性、频率稳定性、抗噪性能及光谱分辨率等方面具有天然优势，是构建高精度光学系统的关键光源之一。在光纤通信c波段（1530–1565nm）内，窄线宽激光器可有效提升系统的数据传输容量与传输距离，是实现高速相干通信、频分复用及5g/6g网络信息基础设施的核心组件之一。

2、目前，主流窄线宽半导体激光器多采用外腔反馈结构，通过延长谐振腔长度和引入模式选择元件，实现对激光线宽的压缩与频率的稳定，但是传统的半导体激光器难以实现khz量级的窄线宽。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，用以解决现有的半导体激光器存在难以实现khz量级窄线宽并兼顾较高功率输出的问题。

2、本专利技术提供一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，包括：

3、封装壳体，所述封装壳体的内部具有空腔；

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述标准具组件的入射角度为0 ~ +5°。

3.根据权利要求2所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述标准具组件的带宽小于所述激光谐振腔的带宽。

4.根据权利要求2所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述标准具组件包括：

5.根据权利要求4所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述第一标准具（5）和所述第二标准具（6）的入射端面以及射出端面的反射率均为70...

【技术特征摘要】

1.一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述标准具组件的入射角度为0 ~ +5°。

3.根据权利要求2所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述标准具组件的带宽小于所述激光谐振腔的带宽。

4.根据权利要求2所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述标准具组件包括：

5.根据权利要求4所述的窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，其特征在于，所述第一标准具（5）和所述第二标准具（6）的入射端面以及射出端面的反射率均为70%~95%。

6.根据权利要求1至5任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖展鲲，侯杰，尔知玄，姜宇轩，龚萍，谢亮，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：