本发明提供一种中红外激光器的温度控制方法，涉及激光器技术领域。该温度控制方法包括：设定中红外激光器的基准温度T0，向中红外激光器注入驱动电流；在驱动电流的任意第n个周期内，采集中红外激光器的初始温度参数，形成第n个周期的初始温控曲线T(...

本公开提供了一种基于薄膜锆钛酸铅的高分辨率宽带集成光谱仪及制备方法，涉及集成光学技术领域。该光谱仪的结构包括：衬底；设于衬底上的二氧化硅下包层；设于二氧化硅下包层上的锆钛酸铅薄膜波导层，其中，该锆钛酸铅薄膜波导层内设有多个微环谐振器和多...

本发明提供一种同时产生低噪声微波信号与脉冲光信号的异构集成芯片，涉及光通信技术领域及微波技术领域。该异构集成芯片包括：层叠设置的电芯片层、硅转接层和光芯片层；光芯片层包括微环谐振器，光芯片层用于输出脉冲光信号，并通过微环谐振器调节输出脉...

本公开提供了一种仿蜘蛛腿关节的压力传感器及其制备方法。该制备方法包括：获得柔性基底，将壳聚糖与明胶的混合溶液涂覆于柔性基底的表面，并在低温环境下固化，形成水凝胶阻尼层；获得聚酰亚胺基材，通过溅射工艺在聚酰亚胺基材上沉积铬或钛薄膜，形成预...

本发明提供一种高速激光器芯片及其制备方法，涉及激光器技术领域。制备方法包括：在外延片表面生长出掩膜层；将单台脊波导图形转移到掩膜层中；通过干法刻蚀在外延片表面形成单台脊波导图形，对形成有初步单台脊波导图形的外延片进行湿法腐蚀，制备出单台...

本申请提供一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法，涉及微电子器件设计与制造技术领域。该碳化硅CMOS器件包括：依次连接的衬底、N型缓冲层和P型外延层；分别位于P型外延层表面的多个N型阱区；分别位于P型外延层中的多个N型重掺杂隔离区；多个...

本公开提供一种基于体布拉格光栅外腔的半导体泵浦激光器，包括：激光器封装壳体，激光器封装壳体的内部形成空腔；空腔内沿激光光路依次设置有背光探测器、增益芯片、准直透镜以及体布拉格光栅；空腔内还设有热沉，体布拉格光栅设置于热沉上；背光探测器用...

本申请提供了一种空间光频率特性探测装置及探测方法，涉及自外差探测技术领域。在该装置中，窄线宽激光器模块向空间分束模块持续发射空间光，空间光经由第一分束棱镜分束为信号光和本振光，信号光经第一反射镜反射到空间延时模块进行延时，本振光射入空间...

本发明提供一种直调激光器，包括：衬底，外延层，包括依次层叠在衬底上的缓冲层、光栅层、下限制层、有源层、上限制层、腐蚀截止层、包层和接触层；光栅层的结构为具有λ/8相移的凸面光栅结构，光栅层位于N型掺杂侧，具有λ/8相移的凸面光栅结构用于...

本发明提供一种光刻方法，该方法包括：通过第一光刻胶将待光刻的目标样片和衬底进行粘接；目标样片的尺寸小于阈值；通过第二光刻胶对粘接在衬底上的目标样片进行光刻胶匀胶，形成覆盖目标样片的光刻胶膜层；基于光刻胶膜层对目标样品进行光刻。本申请实施...

本发明提供了一种窄发散角半导体激光器，包括在有源外延结构上刻蚀得到的沿出光方向依次相连的输入脊型波导区，锁相区和近场强度调制区，其中：输入脊型波导区包括侧向周期分布的第一脊型波导阵列，所述第一脊型波导阵列包括多个第一脊型波导；锁相区包括...

本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，可应用于半导体技术领域。该场效应晶体管包括：衬底；依次设置在衬底上的缓冲层、第一n型外延层和第二n型外延层；第一p型保护层，包括沿第一方向同轴设置于第一n型外延层以及第二n型外延层中部区域的...

本发明提供一种产生可调谐微波源的异构集成芯片，涉及光通信技术领域及微波技术领域。该异构集成芯片包括：层叠设置的电芯片层、硅转接层和光芯片层；电芯片层，用于输出微波信号；光芯片层包括微环谐振器，光芯片层用于接收输入的激光并为电芯片层提供微...

本公开提供了连续域束缚态的合并方法以及相变材料超表面结构，涉及微纳光学技术领域。连续域束缚态的合并方法，包括：获取相变材料超表面结构的能带结构；从所述能带结构中确定同时具有对称保护连续域束缚态和偶然连续域束缚态的能带；基于所述能带，计算...

本发明提供了一种基于范德华外延的量子点光电探测器，可应用于半导体技术领域。该探测器包括：支撑衬底、下导电层、量子点活性层、上导电层以及相互隔离的上电极与下电极，构成垂直三明治结构。其中，下导电层为具有范德华表面的下层二维材料，量子点活性...

本公开提供一种半导体激光器氧化炉，包括：石英炉管（7）、隔热层（6）、输气管道（2）和湿度发生器（1）；石英炉管（7）的内部设有晶圆架，用于放置晶圆；隔热层（6）附着于石英炉管（7）的外侧管壁的中心区域；输气管道（2）的第一端与湿度发生...

本公开提供了一种垂直腔面发射激光器，包括谐振腔以及设于谐振腔中的有源区。有源区包括沿着光发射方向设置的多个多量子阱以及设于相邻多量子阱之间的中间层。相邻多量子阱之间的中间层具有一种导电类型。

本公开提供一种用于多波长发射模块的散热装置以及散热系统，涉及光电集成模块散热的技术领域，该用于多波长发射模块的散热装置包括：半导体制冷器，半导体制冷器的相对的两侧被构造成响应于外部直流电流的激励分别形成冷面和热面，冷面与多波长发射模块的...

本公开提供了一种基于转角二维材料的量子点图案化制备方法，涉及量子点生长技术领域。该方法包括：在至少两个衬底上分别制备具有范德华层状结构的二维材料；检测各二维材料的晶体取向，并在确定至少两个二维材料的晶体取向一致的情况下，以其中一个二维材...

本公开提供了一种异质集成电吸收调制激光器结构及其制备方法，涉及新型半导体器件技术领域。该结构包括：电吸收调制器、半导体激光器以及抗反射层（114）；其中，该电吸收调制器包括衬底（101）、依次叠设于衬底（101）上的第一N型半导体层（1...