本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池，可应用于太阳能电池技术领域。该钙钛矿太阳能电池包括：玻璃基板；透明导电层，设置于玻璃基板上；空穴传输材料层，设置于透明导电层远离玻璃基板的一侧，其中，空穴传输材料层的材料包含咔唑核心骨架，且咔唑核心骨架...

本公开提供了一种半导体激光器，从下至上依次包括：下层波导结构及上层波导结构；其中，下层波导结构包括有源层（7）；上层波导结构包括模式扩展层（11）；上层波导结构被刻蚀形成具有不同脊宽的脊形结构，沿激光器的出光方向，脊形结构包括相连的脊宽...

本发明公开了一种激光诱导定位外延系统，包括壳体、承载架、掩膜和激光发生器，所述壳体具有周转腔和反应腔；所述激光发生器通过所述透视窗口向所述掩膜发射激光并使激光穿过所述掩膜照射在所述衬底上。本发明通过掩膜和激光的精确控制，可以实现只在衬底...

本发明提供一种贫血检测装置、贫血检测模型训练方法及装置，涉及医疗辅助设备技术领域和图像处理技术领域，贫血检测装置包括获取模块，用于获取目标用户的面部影像；标识模块，用于标识面部影像中目标图像的感兴趣区域，得到感兴趣区域图像，感兴趣区域为...

本申请提供了一种红外图像传感器及其像素级读出电路，涉及红外图像传感器领域。该像素级读出电路集成于单个像素单元内部，包括：直接注入的输入级电路，用于将红外图像传感器产生的红外光生电流转换为模拟电压信号；与直接注入的输入级电路连接的脉冲频率...

本公开提供一种用于堆栈光源光束整形与合束的快慢轴压缩重排棱镜系统，包括：准直单元，用于对激光器堆栈光源产生的光束进行准直，激光器堆栈光源，包括第一堆栈和第二堆栈，每个堆栈包括多个微型条状激光器；两级快轴压缩单元，用于对每个堆栈内部的多个...

本公开提供一种高电子迁移率硅MOS量子器件及其制备方法。该方法包括：在硅衬底上生长介质层；对介质层和硅衬底进行刻蚀，形成台面结构；利用湿法腐蚀去除介质层；对去除介质层的样品进行清洗；在清洗后的样品上生长介质层；重复执行利用湿法腐蚀去除介...

本发明提供了一种自启动傅里叶域锁模光电振荡器及方法。振荡器包括扫频光源，用于产生波长随时间变化的扫频光；光电振荡环路，包含相位调制器、长光纤、陷波滤波器、光探测器和电放大器，光探测器输出端通过电放大器连接相位调制器输入端，构成闭环；扫频...

本公开提供了一种发射机、接收机和光跳频系统，光跳频系统包括发射机、接收机及光纤。发射机包括激光发射模块、载波调制模块、信息调制模块和输出模块，载波调制模块与激光发射模块连接，用于将第一激光分为第一子激光和第二子激光，将第二激光分为第三子...

本公开提供一种用于边发射半导体激光器阵列的一体式复合柱面透镜，复合柱面透镜包括：透镜，由单片光学玻璃加工形成；其中，透镜的第一表面为球面柱面镜面，球面柱面镜面的柱轴平行于快轴方向，用于在慢轴方向对发散光束进行扩展整形；透镜的第二表面为非...

本公开提供了一种电压时间转换单元，包括：比较器，用于接收待测信号和斜坡信号，并根据所述斜坡信号和待测信号输出第一脉宽信号；偏置电路，用于接收基准电路，并根据所述基准电流确定基准电压；阈值调整电路，所述阈值调整电路的输入与所述偏置电路的输...

本发明提供了一种硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构，涉及光电集成、光通信领域，可解决如何在单芯片上实现高性能、高集成度密集波分复用系统的技术问题。该结构包括：电芯片、凸点和光芯片；光芯片包括锆钛酸铅器件层和硅器件层，锆钛酸铅器件层包...

本申请提供了一种基于倏逝波耦合的锁相量子级联激光器阵列及制备方法，涉及红外半导体光电器件技术领域。该量子级联激光器阵列包括：自下而上依次层叠的背面金属电极、衬底、缓冲层、耦合层、下波导层、下限制层、有源区层、上限制层、上波导层和上盖层；...

本公开提供了一种电光调制器，涉及光互连技术领域，用以解决现有技术中的基于反向偏置PN结结构的硅基电光调制器宽带低下的技术问题。该电光调制器包括：PIN调制臂，用于对输入的光信号进行调制；均衡电路，与PIN调制臂串联连接，其中，均衡电路被...

本公开提供一种宽光谱可调谐光混频器，包括：输入波导，用于接收并输入初始本振光以及初始信号光；光分束器，用于将初始本振光分束为功率相等的两束本振光，以及将初始信号光分束为功率相等的两束信号光；波导交叉结构，用于将两束本振光和两束信号光进行...

本公开提供了一种高线性集成双级干涉马赫曾德调制器，包括：第一级干涉调制单元和第二级干涉调制单元；第一级干涉调制单元包含可调分束器、第一共面波导行波电极、第一直流电极、第二直流电极及第一等比合束器；第一直流电极在热学上耦合至可调分束器，第...

本发明提供了一种集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法，器件包括：依次堆叠的衬底、GaN缓冲层、GaN/AlGaN超晶格应力释放层、n型GaN基层、InGaN/InGaN发光功能层、AlGaN阻挡层、p型GaN基层；p型Ga...

本发明提供了一种纳米发光二极管器件及其制备方法，涉及光电器件技术领域。器件包括：在纳米发光二极管结构上制备依次堆叠的牺牲层和第一介质层；对牺牲层和第一介质层进行光刻图形化，得到第一光刻图形；基于第一光刻图形刻蚀的第一介质层、牺牲层和纳米...

本公开提供一种垂直空间复用封装的阵列高频光电子器件，涉及光电子技术领域。该阵列高频光电子器件包括：封装管壳，封装管壳内设置有用于安装芯片的多个平台；多个高频光电子芯片，安装于多个平台上；多个高频封装结构，与多个高频光电子芯片一一对应并连...

本发明提供一种啁啾脉冲光产生装置，包括：光源模块，被配置为产生连续相干光，连续相干光具有特定的中心频率；强度调制器，连接光源模块的输出端，强度调制器被配置为将连续相干光调制成特定消光比的脉冲光；相位调制器，连接强度调制器的输出端，相位调...