中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本申请提供了一种兼容CMOS工艺且可实现抗界面无序的硅电子自旋量子比特量子器件及其制备方法,包括提供衬底,在衬底上形成硅量子阱,以及在硅量子阱上形成至少一组金属电极,且硅量子阱的内部包括用于形成栅控量子点的第一区间,以及用于在第一区间形...
  • 本申请提供了一种面向边缘部署的神经网络轻量化方法、装置和电子设备,应用于神经网络技术领域。该方法包括:对原始网络模型进行剪枝操作,以去除冗余结构和参数;对剪枝操作后的原始网络模型中的关联参数进行合并;对合并后的原始网络模型中的部分运算单...
  • 本发明提供了一种半导体光电器件,可应用于光电芯片技术领域。该器件包括:器件主体,器件主体包括衬底、设置于衬底上的多个发光单元以及用于电连接发光单元的金属互联引线;功能层,覆盖于发光单元的出光表面;其中,发光单元为基于半导体外延材料制备的...
  • 本申请提供了一种激光改质切片装置及方法,包括依次搭建第一扫描光路、第二扫描光路和聚焦光路,通过第一扫描光路形成稳定偏振状态的柱矢量光,通过第二扫描光路形成稳定偏振状态的线偏振光、以及通过聚焦光路分别将柱矢量光和线偏振光的聚焦焦点依次控制...
  • 本公开提供了一种混合集成收发光组件,包括:金属基板;高速收发集成光芯片、驱动器芯片、高速光电探测器芯片和跨阻放大器芯片,设置于金属基板上;阵列光纤,与高速收发集成光芯片的第一光波导阵列光学耦合;其中,高速收发集成光芯片的第二光波导阵列与...
  • 本公开提供了一种基于薄膜铌酸锂的片上差分平衡探测器芯片及其制备方法,该芯片包括:薄膜铌酸锂层;键合层,设置于薄膜铌酸锂层的上表面;探测器外延层,设于键合层的上表面的预定区域,预定区域的面积小于键合层的面积。该芯片通过在薄膜铌酸锂层上键合...
  • 本发明提供了一种光学生理检测探针芯片,可应用于光电芯片技术领域。该芯片包括:衬底;发光单元,设置于衬底上;光探测单元,设置于衬底上,且光探测单元与发光单元在衬底上间隔分布;光学介质层,覆盖于光探测单元远离衬底的一侧表面和侧面;第一电极,...
  • 本发明提供一种后量子密码芯片,包括:后量子密码加速模块,后量子密码加速模块包括数论变换加速器,数论变化加速器用于将输入的初始多项式进行加速乘法计算以完成后量子密码加速;转换模块,转换模块与后量子密码加速模块相连,用于将输入的大数转换为目...
  • 本公开提供了一种三维封装集成的高密度光电互联装置,可以应用于光电集成、光通信和光计算领域,该装置包括:电互联芯片,用于进行电信号的传输,将电计算芯片产生的电信号传输至光互联芯片进行处理,和/或,将光互联芯片处理后的电信号反馈至电计算芯片...
  • 本公开提供了一种微型共振腔发光二极管及其制备方法,该二极管包括:一底部分布式布拉格反射镜(1);一硅基衬底(2);一未掺杂半导体(3);一发光结构,设置于未掺杂半导体(3)上;一顶部分布式布拉格反射镜(11),形成于未掺杂半导体(3)上...
  • 本申请提供了一种梯度掺杂铁电薄膜器件及其制备方法,涉及光电子器件技术领域。该梯度掺杂铁电薄膜器件包括:自下而上依次层叠的衬底、埋氧层、缓冲层、铁电薄膜材料层;铁电薄膜材料层中掺杂有杂质离子,杂质离子的掺杂浓度自下而上依次增加。本申请通过...
  • 本申请提供了一种紫外微型LED阵列芯片及其制备方法,该芯片包括:衬底;n型层(10),设置于衬底上;p型台面(1),至少依次包含量子阱层和p型层;p型电极(2);n型电极(3);第一钝化层(4),覆盖p型台面的两侧和部分表面,以及p型电...
  • 本公开提供了一种量子点激光器及量子点激光器带宽与非线性性能的协同调控方法、装置和设备,该方法包括:将量子点激光器构建为受偏置电流驱动的非线性谐振子系统;对量子点激光器施加偏置电流;通过调控偏置电流的大小,将量子点激光器设定于协同偏置工作...
  • 本发明提供了一种多感官跨模态单片集成式神经拟态器件,可应用于新型半导体器件技术领域。该器件包括:衬底,衬底的第一表面被设备为包括一凹槽;第一半导体材料层,位于衬底的第一表面上,且第一半导体材料层与衬底在凹槽形成悬空结构;第二半导体材料层...
  • 本公开提供了一种微型共振腔发光二极管及其制备方法,该二极管包括:一硅基衬底(2);一底部分布式布拉格反射镜(1);一顶部分布式布拉格反射镜(11);一发光结构,设置于底部分布式布拉格反射镜(1)与顶部分布式布拉格反射镜(11)之间,底部...
  • 本公开提供了一种硅基波导光电探测器及制备方法,应用于光互连技术领域。该硅基波导光电探测器,包括:基底,设置有p型轻掺杂区、p型重掺杂区、n型轻掺杂区和n型重掺杂区;光吸收层,p型轻掺杂区、光吸收层和n型轻掺杂区形成一横向PIN结;二氧化...
  • 本发明提供一种基于多传感器数据融合的无砟轨道宽窄接缝性能评价方法及系统,涉及轨道接缝性能评价技术领域,包括:基于设计标准通过有限元仿真建立健康接缝的理论基准模型,并提取基准特征向量;在无列车运行时施加预设激励并同步采集输入力与输出响应信...
  • 本发明提供了一种基于引脚复用技术的温度传感器,可应用于传感器技术领域。该温度传感器包括:感温探头电路,用于产生基极‑发射极电压和基极‑发射极电压差;模数转换电路,用于将基极‑发射极电压和基极‑发射极电压差转换为对应的数字信号;数字控制模...
  • 本发明提供了一种基于随机森林算法的光纤窃听监测方法、装置、设备、介质和程序产品。光纤窃听监测方法包括:获得光纤信道的光信号,从光信号中提取多种信号传输参数,多种信号传输参数表征光纤信道在传输过程中的状态变化;将多种信号传输参数输入预先训...
  • 本公开提供一种六方氮化硼单光子源的制备方法,包括:在第一衬底表面形成纳米颗粒;机械剥离六方氮化硼薄片,并转移至第二衬底上,对六方氮化硼薄片进行等离子体处理,向六方氮化硼薄片引入单光子源;将引入单光子源的六方氮化硼薄片从第二衬底表面转移至...