本发明提供一种车载数据采集网关装置，包括可编程逻辑阵列、多路CAN设备接口电路、多路以太网接口电路、固态存储电路和高速串行接口电路，其中；固态存储电路、多路CAN设备接口电路、多路以太网接口电路和高速串行接口电路分别与可编程逻辑阵列相连...

本申请提供了一种准宇称时间对称量子级联激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域。该激光器包括单个增益波导和多个损耗波导，损耗波导在增益波导两侧依次排布，波导之间刻有隔离沟，增益波导脊宽较宽并通过上电极注入电流来产生高功率，损耗波导脊...

本申请提供了一种薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该薄膜型深紫外LED芯片包括：由下至上依次层叠的支撑衬底、键合金属层、p型电极、p‑AlGaN层、有源区、n‑AlGaN层和n型电极；其中，n‑AlGaN层开...

本发明提供一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器，涉及激光技术领域。窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器包括封装壳体、增益芯片、准直透镜组件、标准具组件、体布拉格光栅以及激光输出组件，封装壳体的内部具有空腔，增益芯片、准直透镜组件、标准具...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法。所述高导热氧化镓复合衬底包括：高导热衬底和氧化镓单晶；所述高导热衬底和所述氧化镓单晶键合相连；所述高导热衬底为Cu和金刚石的合金陶瓷材料。本发明研究得到一种以Cu和...

本发明提供一种经络调理方法及装置，涉及医疗器械技术和中医保健调理领域，该方法包括：基于预先建立的人体坐标系和目标穴位标准，确定预设的经络中各穴位的属性描述，并获取所述经络中初始穴位的空间位置，所述目标穴位标准表征穴位相关内容的统一规定，...

本发明提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法，可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属...

本发明提供一种探测器及其制作方法，探测器包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路，探测器阵列芯片包括第一腐蚀截止层、第二腐蚀截止层、NPN晶体管阵列、发射区接触层以及电极层；本发明通过采用NPN晶体管阵列结构，可以实现在低工作电压下高增...

本发明提供一种分布式光纤盐度传感器及其制备方法、灵敏度确定方法及补偿方法，分布式光纤盐度传感器包括：多个传感单元，每个传感单元包括：纤芯，纤芯上形成有倾斜光纤光栅；包层，包裹具有倾斜光纤光栅的纤芯，包层表面形成有螺旋凹槽；盐敏涂层，形成...

本发明提供一种具有门控使能功能的游标型时间数字转换器电路，包括：门控信号产生电路模块根据开始信号与停止信号产生使能信号，且根据仲裁器模块的输出信息，确定转换结束的时刻，以使使能信号结束；环形振荡器模块包括第一环形振荡器和第二环形振荡器，...

本公开提供了一种AlN基晶体管制备方法及AlN基晶体管，AlN基晶体管制备方法包括：在衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长二维氮化硼层；在二维氮化硼层上生长氮化铝镓层和氮化铝层，形成晶体管有源区；将晶体管有源区从氮化硼层上剥离；...

本公开提供一种AlN基肖特基二极管及其制备方法，AlN基肖特基二极管包括：衬底、第一氮化铝层、第二氮化铝层、阴极、阳极和至少一个N型导电区，衬底、第一氮化铝层和第二氮化铝层从下至上依次生长；阴极设于衬底底面；阳极设于第二氮化铝层上；至少...

本公开提供了一种光斑定位系统，包括：图像数据输入逻辑模块，连接图像传感器，用于接收图像传感器采集的图像数据；双倍速率同步动态随机存储器，连接图像数据输入输出逻辑模块，用于存储图像数据；光斑定位模块，连接双倍速率同步动态随机存储器，用于读...

本发明提供一种相位调制连续波测距方法及系统，应用于半导体光电探测技术领域，方法包括：对通过激光光束生成的初始双波长相干光进行连续波相位调制，确定调制双波长相干光，对调制双波长相干光进行分束，获得双波长探测光和双波长本振光；将双波长探测光...

提供了一种增益补偿光电振荡器，包括：激光器，用于产生光信号；电光调制器，对光信号进行调制，得到调制光信号；光电探测器，用于将调制光信号转换为微波信号；以及功分器，用于将微波信号功分为第一微波信号和第二微波信号，其中，第一微波信号反馈到电...

本公开的实施例提供一种低寄生氮化镓基反相器及其制备方法，低寄生氮化镓基反相器包括：依次垂直堆叠设置的n型氮化镓基半导体层、p型氮化镓基半导体层和非掺杂氮化镓基半导体层，p型氮化镓基半导体层与非掺杂氮化镓基半导体层之间形成空腔，空腔内设有...

本公开提供了一种电光调制波导，包括：光波导，包括脊型区和平板区；脊型区高于平板区，且设于平板区中部；光波导分为P型掺杂区和N型掺杂区，P型掺杂区和N型掺杂区在所述脊型区交界且在交界处形成PN结，第一电流扩展层，位于P型掺杂区上方且平行于...

本发明提供了一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法和应用。该方法包括：（1）在蓝宝石衬底上外延生长氧化镓单晶薄膜；（2）在所述氧化镓单晶薄膜上生长MgO牺牲层；（3）在所述MgO牺牲层上生长氧化镓单晶，得到氧化镓晶圆；（4）采用晶圆键合方...

本公开提供了一种低温面内矢量磁场环境下的微区光谱系统，该系统包括：低温恒温器，用于为样品提供低温测试环境，低温恒温器的顶部设有光学窗口；磁场产生装置，设置在低温恒温器内，用于为样品施加测试所需磁场；三维平移台，设于磁场产生装置的均匀磁场...

本发明提供一种金刚石衬底加工方法，涉及超硬材料精密加工领域。该方法包括：确定初始金刚石衬底当前生长表面与标准晶面的第一夹角；确定初始金刚石衬底目标生长表面与标准晶面的第二夹角；根据第一夹角和第二夹角的角度差值以及初始金刚石衬底当前生长表...