本发明提供了一种硅‑锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统，涉及光电集成技术领域，包括：硅‑锆钛酸铅晶圆和光电集成系统链路，硅‑锆钛酸铅晶圆包括的硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长，锆钛酸铅薄膜层平行于硅薄膜层并...

本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法，其中阶梯型场效应晶体管器件包括：半导体基片；有源区，设置于基片中，有源区包括：屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区，其中，屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯...

本发明提供了一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片，涉及光器件集成技术领域，包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长；硅波导层，设于二氧化硅埋氧层上，位于二氧化硅包埋层内部；二氧化硅包埋层包括第一区域、第二区域...

本公开提供一种硅基量子模拟器及其制备方法，硅基量子模拟器包括：依次叠加的硅衬底、衬底绝缘层和工作部；其中，工作部包括第一工作部和第二工作部；第一工作部包括沿第一方向顺序连接的源区硅电导台面、硅纳米线周期网络结构、漏区硅电导台面，以及覆盖...

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括提供第一基底，然后在于第一基底上形成掩膜层，该掩膜层包括多个显露出第一基底的凹槽，最后再于第一表面同步沉积锗原子和锡原子，获得锗锡合金。通过将位于掩膜层内的凹槽设置为的深宽比不低于2...

本公开提供一种耦合器结构优化方法，涉及集成光电子器件设计领域，其包括：确定耦合器耦合区中每个波导对应边线的多个离散的初始控制点；将每个波导边线上对应的多个初始控制点进行拟合，形成初始边线；采用第一相关运算，分别对多个初始控制点进行优化，...

本申请提供了一种激光扫描装置和激光雷达，该激光扫描装置包括激光源和透镜组，激光源用于发射扫描光线，透镜组则设置在扫描光线的发射路径上，用于调整扫描光线的出射方向，并使扫描光线平行出射。本申请通过在激光源的发射路径上设置透镜组，使激光源发...

本公开提供一种测量光子集成芯片和光电探测器的相对频率响应的方法，包括：响应于由外部施加在调制器的第一调制臂的扫频信号，对加载在第一调制臂上的第一射频信号进行扫频输出，得到多个由第一调制臂调制输出的第一光载波；响应于由外部施加在调制器的第...

本发明提供了一种2×2多模光开关路由单元，包括：输入多模光波导，用于输入待处理的多模光信号；多模耦合分束结构，用于执行耦合分束；多模波导弯曲结构，用于对多模光信号的路径弯曲；多模移相器，用于控制或改变多模光信号的相位；输出多模光波导，用...

本公开提出了一种紫外LED芯片及其制备方法，包括衬底、氮化铝缓冲层、氮化铝层、氮化铝镓层和电极层。氮化铝层包括金属极性面氮化铝层和氮极性面氮化铝层。氮化铝镓层包括金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层，金属极性面氮化铝镓层与金属极性面...

本公开提供一种芯片封装支架，涉及芯片封装领域，其包括：底座，所述底座的上表面开设有至少一个容纳槽，所述容纳槽用于容纳所述PCB板底部的焊点；所述底座上开设有至少一个定位孔，所述PCB板上开设有与所述定位孔相对应的穿孔；定位螺栓，所述定位...

本公开提供了一种基于外注入信号的脉冲激光放大系统及方法，可以应用于低重频纳秒脉冲光纤激光技术领域。该系统包括：外注入信号装置和脉冲激光器。外注入信号装置包括：第一泵浦源，被配置为产生第一泵浦光；谐振腔，被配置为吸收第一泵浦光，基于粒子数...

本公开提供了一种选通激光相机雷达深度学习三维重建方法、装置、设备及存储介质，可以应用于激光三维成像技术领域。该方法包括：基于选通图像拟合得到归一化距离能量包络函数；基于归一化距离能量包络函数确定选通图像的归一化距离能量包络函数；根据归一...

本申请提出一种基于激光雷达的集群式无人机充电仓及充电方法，所述充电仓包括：激光雷达站、中心调度激光充电站、多个边缘激光充电站、多个充电轨道和调度轨道；所述多个充电轨道分别设置在所述多个边缘激光充电站的外围，所述调度轨道设置在所述中心调度...

提供了一种氧化镓衬底及其制备方法，所述方法包括以下步骤：按照激光烧蚀版图，采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽；对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽；以及在所述第二沟槽内填充导热层，以形成具有导热层的氧化镓衬底...

本公开提供了一种植入式神经微电极及其制作方法，该制作方法包括：准备硬质基板(1)，硬质基板(1)的上表面有多个第一接口，各第一接口以阵列的方式排列；将硬质基板(1)的各第一接口与转接板(2)的第一预设区域的多个通孔对齐，并将各第一接口通...

本公开提供了一种彩色选通激光相机雷达图像生成方法、装置及设备，可以应用于水下光学成像技术领域。该方法包括：对与待检测对象相关的感兴趣区域进行图像采集，得到第一选通图像、第二选通图像和彩色图像；根据目标距离能量相关函数处理第一选通图像和第...

本发明提供了一种用于半导体外延设备的高效尾气处理系统，外延设备包括生长室部件、尾气抽气系统与其他部件，外延设备用于在生长室部件外延生长镓砷系化合物半导体材料，其特征在于，尾气处理系统包括：管路组件，包括第一管路、第二管路、第三管路与第四...

本公开提供了一种用于半导体外延设备尾气系统的气体运输结构，包括第一管路组件，用于将生长室所输出的气体输入至过滤罐中；第二管路组件，用于将过滤罐所输出的气体输入至真空泵中；第三管路组件，用于将真空泵处理后的气体输出至并联双磷阱中；第四管路...

本公开提供一种红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片。红外探测器包括：依次叠加的衬底，第一红外量子点层，第一介质层和第二红外量子点层；第一电极和第二电极；其中，第一电极与第二电极设置于第一红外量子点层的同一侧或相对侧，且第一电极与衬底相接触...