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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
基于多传感器协同感知的气体浓度分布检测装置及方法制造方法及图纸
本发明提供了一种基于多传感器协同感知的气体浓度分布检测装置,可应用于测量仪器技术领域。该装置包括:红外热像仪、可见光摄像头、遥测传感器、激光雷达、数据采集系统、控制系统、中央处理器、云台组和自动移动平台,其中,云台组包括多个云台,每个云...
量子级联激光器的极化激元测试装置制造方法及图纸
本公开提供了一种量子级联激光器的极化激元测试装置,包括:飞秒激光器,用于产生初始激光;第一分束镜,用于将初始激光分为一束泵浦光和一束探测光;功率调节组件,用于调节探测光和泵浦光的光功率;场光源,用于发出白光;光路调节组件,用于将所述探测...
微流控芯片及其使用方法技术
本发明提供一种微流控芯片及其使用方法,微流控芯片包括注入通道、混合通道以及反应通道;混合通道与注入通道连通;反应通道与混合通道连通;其中,混合通道上设置有中间注入子通道,中间注入子通道用于注入辅助材料;本发明通过在混合通道上设置中间注入...
微流控芯片及其制作方法技术
本发明提供一种微流控芯片及其制作方法,微流控芯片包括注入通道、混合通道以及反应通道,混合通道与注入通道连通,反应通道与混合通道连通;反应通道包括至少两个反应子通道,在反应通道的延伸方向上,反应通道中至少有两个反应子通道的长度不相等,本发...
一种可编程助听器芯片制造技术
本发明提供一种可编程助听器芯片,包括微处理器模块、语音加速器模块、神经网络处理模块、模拟前端电路模块与通信接口模块,其中;微处理器模块分别与语音加速器模块、神经网络处理模块、模拟前端电路模块、通信接口模块相连;语音加速器模块、神经网络处...
钙钛矿薄膜卤素离子的均质化方法及钙钛矿太阳能电池技术
本公开的提供了一种钙钛矿薄膜卤素离子的均质化方法,方法包括:向N,N‑二甲基甲酰胺中碱金属草酸盐,充分搅拌得到混合均匀的第一溶液;将第一溶液与N‑甲基吡咯烷酮混合,充分搅拌得到混合均匀的第二溶液;将多种钙钛矿前驱体材料依次加入第二溶液中...
紫外发光二极管封装结构制造技术
本发明提供了一种紫外发光二极管封装结构,可应用于发光二极管封装结构技术领域。该结构包括:散热基板、紫外发光二极管芯片、三维围坝、固液混合介质层、透镜以及焊接层,其中,紫外发光二极管芯片设置于散热基板上,并通过焊接层与散热基板连接;三维围...
BGA封装芯片与PCB板的互联结构及终端制造技术
本发明提供一种BGA封装芯片与PCB板的互联结构及终端,BGA封装芯片包括芯片接地参考平面和焊料球组,焊料球组包括信号焊料球和接地焊料球;PCB板包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层;本发明通过在第二金属层的挖空区设置信号传输线,使...
一种车载数据采集网关装置制造方法及图纸
本发明提供一种车载数据采集网关装置,包括可编程逻辑阵列、多路CAN设备接口电路、多路以太网接口电路、固态存储电路和高速串行接口电路,其中;固态存储电路、多路CAN设备接口电路、多路以太网接口电路和高速串行接口电路分别与可编程逻辑阵列相连...
准宇称时间对称量子级联激光器及其制备方法技术
本申请提供了一种准宇称时间对称量子级联激光器及其制备方法,涉及半导体激光器技术领域。该激光器包括单个增益波导和多个损耗波导,损耗波导在增益波导两侧依次排布,波导之间刻有隔离沟,增益波导脊宽较宽并通过上电极注入电流来产生高功率,损耗波导脊...
薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法技术
本申请提供了一种薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法,涉及半导体光电子器件领域。该薄膜型深紫外LED芯片包括:由下至上依次层叠的支撑衬底、键合金属层、p型电极、p‑AlGaN层、有源区、n‑AlGaN层和n型电极;其中,n‑AlGaN层开...
一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器制造技术
本发明提供一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器,涉及激光技术领域。窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器包括封装壳体、增益芯片、准直透镜组件、标准具组件、体布拉格光栅以及激光输出组件,封装壳体的内部具有空腔,增益芯片、准直透镜组件、标准具...
一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法技术
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法。所述高导热氧化镓复合衬底包括:高导热衬底和氧化镓单晶;所述高导热衬底和所述氧化镓单晶键合相连;所述高导热衬底为Cu和金刚石的合金陶瓷材料。本发明研究得到一种以Cu和...
经络调理方法及装置制造方法及图纸
本发明提供一种经络调理方法及装置,涉及医疗器械技术和中医保健调理领域,该方法包括:基于预先建立的人体坐标系和目标穴位标准,确定预设的经络中各穴位的属性描述,并获取所述经络中初始穴位的空间位置,所述目标穴位标准表征穴位相关内容的统一规定,...
铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法技术
本发明提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法,可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属...
探测器及其制作方法技术
本发明提供一种探测器及其制作方法,探测器包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路,探测器阵列芯片包括第一腐蚀截止层、第二腐蚀截止层、NPN晶体管阵列、发射区接触层以及电极层;本发明通过采用NPN晶体管阵列结构,可以实现在低工作电压下高增...
分布式光纤盐度传感器及其制备方法、灵敏度确定方法及补偿方法技术
本发明提供一种分布式光纤盐度传感器及其制备方法、灵敏度确定方法及补偿方法,分布式光纤盐度传感器包括:多个传感单元,每个传感单元包括:纤芯,纤芯上形成有倾斜光纤光栅;包层,包裹具有倾斜光纤光栅的纤芯,包层表面形成有螺旋凹槽;盐敏涂层,形成...
具有门控使能功能的游标型时间数字转换器电路制造技术
本发明提供一种具有门控使能功能的游标型时间数字转换器电路,包括:门控信号产生电路模块根据开始信号与停止信号产生使能信号,且根据仲裁器模块的输出信息,确定转换结束的时刻,以使使能信号结束;环形振荡器模块包括第一环形振荡器和第二环形振荡器,...
AlN基晶体管制备方法及AlN基晶体管技术
本公开提供了一种AlN基晶体管制备方法及AlN基晶体管,AlN基晶体管制备方法包括:在衬底上生长氮化铝缓冲层;在氮化铝缓冲层上生长二维氮化硼层;在二维氮化硼层上生长氮化铝镓层和氮化铝层,形成晶体管有源区;将晶体管有源区从氮化硼层上剥离;...
AlN基肖特基二极管及其制备方法技术
本公开提供一种AlN基肖特基二极管及其制备方法,AlN基肖特基二极管包括:衬底、第一氮化铝层、第二氮化铝层、阴极、阳极和至少一个N型导电区,衬底、第一氮化铝层和第二氮化铝层从下至上依次生长;阴极设于衬底底面;阳极设于第二氮化铝层上;至少...
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