本申请提供了一种自旋轨道矩交叉阵列存储器，涉及半导体存储领域，包括：位于下层的第一条状薄膜阵列，包括成行排布的多个第一条状薄膜，每个第一条状薄膜包括由下至上依次叠加的自旋轨道耦合层、磁自由层和绝缘层；位于上层的第二条状薄膜阵列，包括成列...

本发明提供了一种用于提高背入射高速探测器响应度的方法及装置，涉及红外光电探测器技术领域。该方法包括：准备衬底；在衬底上制备出二氧化硅微透镜，其中，二氧化硅微透镜用于抑制光信号在衬底内的散射现象。该方法通过在衬底上制备出二氧化硅微透镜，利...

提供一种半导体激光器系统分区控温装置，可应用于光电子技术领域。该装置包括：第一控温模块，包括第一微通道热沉、第一电路基板和第一热敏电阻；第二控温模块，包括第二微通道热沉和第二电路基板；第三控温模块，包括第三微通道热沉、第三电路基板、第三...

本申请提供了一种基于慢光效应的电光调制器，包括自下而上依次层叠设置的衬底、底电极、绝缘层、慢光波导层、上包层和信号电极。其中，慢光波导层为基于Z切薄膜铌酸锂的光子晶体波导，且光子晶体波导包括线缺陷波导，以及多个以三角晶格结构排列的空气孔...

本发明提供一种微米银浆的无压烧结方法，包括：制备微米银浆；将所述微米银浆涂覆在元器件待连接的两个连接面之间；将所述元器件放置于加热设备，所述加热设备发出预设波长的红外线加热所述微米银浆，以在两个连接面之间形成导电银层。本发明的无压烧结方...

本公开提供一种高阶耦合伊辛机及组合优化问题的解决方法，涉及微波光子学技术领域。高阶耦合伊辛机包括：分束单元，被配置为将携带有自旋状态信息的第一光信号分束为第二光信号和第三光信号；第一自旋存储单元，被配置为存储第二光信号；第一光电转换器单...

本发明提供一种基于轻量级语音增强模型的语音增强方法，该方法包括：步骤S1，获取待增强的语音信号；步骤S2，将语音信号输入预先训练的轻量级语音增强模型，得到语音信号的增强信号，其中，轻量级语音增强模型以门控循环单元与混合专家模型的网络结构...

本发明提供了一种弧形排列半导体激光光源及其制备方法。弧形排列半导体激光光源包括：多个激光器芯片，沿第一弧线间隔排列，每一个激光器芯片具有出光面，每一个出光面的中心点位于第一弧线上，出光面朝向相同的焦点；多个驱动电极，各自连接相对应的激光...

本申请提供了一种材料生长信号的中继控制方法、装置、系统及介质，涉及材料制备技术领域。包括：在中继设备处于打开状态时，对目标材料的生长过程所采集的信号进行预处理，获取采集数据集合；根据生长过程对应的材料预估制备时间和目标材料对应的制备时间...

一种列并行全差分SAR/SS模拟数字转换电路，可应用于图像传感器技术领域，该电路包括：N列并行电路以及斜坡产生器，每列电路均与斜坡产生器相连，构成完整的单个SAR/SS模拟数字转换电路，单个SAR/SS模拟数字转换电路包括：电路本体部分...

本公开提供一种柔性微型LED器件及其制备方法，涉及微型LED领域。该器件包括：供能驱动单元，用于提供电信号以及发出控制信号；柔性衬底；微型LED阵列，设置于柔性衬底表面且连接供能驱动单元，微型LED阵列用于将电信号转化为光信号，并根据控...

本公开提供一种单脉冲自旋轨道矩概率比特器件及控制方法，涉及自旋轨道矩概率比特技术领域。单脉冲自旋轨道矩概率比特器件的控制方法，包括：基于注入自旋轨道矩概率比特器件的自旋转化层上的脉冲幅度和脉冲方向，控制自旋轨道矩概率比特器件的磁自由层受...

本申请提供了一种材料生长过程中的参数调整方法、装置、设备及介质，涉及材料制备技术领域。包括：在目标材料的材料生长过程中，在第一预设时长内，根据目标材料的生长阶段和目标材料的材料信息，可以按照获取到的生长阶段对应的数据采集频率，对每次采集...

本公开提供一种可重构自旋概率比特器件及其控制方法，涉及自旋概率比特技术领域。可重构自旋概率比特器件的控制方法包括：确定可重构自旋概率比特器件的自旋转化层的对称轴；根据注入自旋转化层的第一脉冲的方向，确定第一脉冲的方向与对称轴之间的夹角；...

本公开提供一种掺钪氮化铝薄膜以及柔性声表面波谐振器的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域。掺钪氮化铝薄膜的制备方法，包括：在第一衬底上依次外延生长堆叠的二维材料层、缓冲层和掺钪氮化铝薄膜层，制备晶体层；去除第一衬底、二维材料层和缓冲层，...

本发明提供了一种双波长窄线宽可调谐全固态激光器，涉及激光器技术领域，包括：双波长激光泵浦源，用于提供双波长泵浦激光；光参量振荡器，用于在双波长泵浦激光的作用下，得到窄线宽可调谐的双波长参量光；光参量振荡器包括：输入镜，用于将双波长激光泵...

本公开提供了一种单片集成器件，包括：衬底层；高电子迁移率晶体管叠层，设置在衬底层上；激光二极管叠层，设置在高电子迁移率晶体管叠层上的一侧。其中，激光二极管叠层复用为高电子迁移率晶体管叠层的漏极，高电子迁移率晶体管叠层复用为激光二极管叠层...

本公开提供一种高亮度可寻址固体激光面阵芯片，涉及激光技术和应用技术领域。高亮度可寻址固体激光面阵芯片包括：阵列排布的第一单元，每个第一单元包括多个阵列排布的垂直腔面发射半导体激光器，每个单元中的垂直腔面发射半导体激光器的数量相同或不同；...

本发明提供了一种用于实现FPGA与超导芯片的高速通信方法、装置及电子设备，涉及集成电路芯片设计技术领域及数字通信技术领域。该方法应用于FPGA，包括：响应于接收来自超导芯片发出的伪随机数，对伪随机数进行并行转换处理，得到伪随机序列；检测...

本发明提供了一种激光器脊型结构制备设备和方法，可以适用于窄脊型法布里‑珀罗激光器的制备。激光器脊型结构制备设备包括：光源，用于产生光刻光束；滤光装置，用于对光刻光束进行过滤处理，使光刻光束的曝光波长集中在目标波段，得到期望光束；光刻装置...