本发明提供一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法，包括：电芯片层；在电芯片层沿第一方向的一侧上依次叠置第二再布线层、硅通孔转接层、第一再布线层与光芯片层；其中，电芯片层与第二再布线层之间通过第二凸点相键合，第一再布线层与光芯片...

本发明提供了一种侧入射式背光监测探测器及其制作方法，涉及半导体探测器技术领域。该侧入射式背光监测探测器包括：衬底；依次叠设于衬底表面的缓冲层、吸收层、顶层、接触层和绝缘层；梯形腐蚀槽，设于绝缘层至衬底之间，包括侧壁，其中，侧壁被配置为光...

本发明提供了一种基于卤化物钙钛矿材料的气敏探测器及其制备方法，涉及半导体气体探测器技术领域。该气敏探测器包括：绝缘基座；气敏材料，设于所述绝缘基座上，用于利用吸附气体产生的负光电效应来进行气体检测，其中，所述气敏材料为锰掺杂Cs<...

本发明提供一种乙烯浓度检测方法、装置、系统、设备和存储介质，该方法包括：在乙烯激光器的输出波长处于中红外乙烯中心波长下，确定混合气体的第一吸收峰峰值；在甲烷激光器的输出波长处于近红外甲烷中心波长下，确定甲烷的第二吸收峰峰值；基于近红外甲...

本发明提供一种具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器及其制备方法。该具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器包括：沿第一方向依次叠设的衬底、下限制层、下波导层、多量子阱层、上波导层、电子阻挡层，第一方向为近紫外激光器的材料生长方向；以及在电子...

本公开提供了一种用于胶体量子点高通量合成的微流控芯片及其使用方法，涉及胶体量子点合成技术领域。该微流控芯片包括：基底；微流通道，设于基底上，被配置为中空的沟道结构，包括：多个进液口，用于注入合成胶体量子点所需的原料和功能溶液；多个出液口...

本发明提供一种高集成非制冷红外异构智能处理装置，涉及智能化红外成像、处理技术领域。该装置包括依次连接的：红外组件，用于获取红外图像；红外视觉芯片电路板，包括输入输出总线；现场可编程门阵列系统电路板，包括：缓存器阵列；现场可编程门阵列；快...

本公开提供了一种神经网络模型压缩方法、装置和电子设备，方法包括：确定对初始神经网络模型进行混合精度量化所对应的位宽损失模型，位宽损失模型为带偏移量的指数衰减模型。确定对量化后的神经网络模型进行剪枝所对应的网络尺寸损失模型。对位宽损失模型...

本发明提供一种激光选通混合距离能量相关三维成像方法，包括：获取初始第一选通图像与初始第二选通图像，初始第一选通图像与初始第二选通图像均包括多个目标对象；将初始第一选通图像与初始第二选通图像输入第一模型中，得到第一图像；将初始第一选通图像...

本发明提供了一种具有超构表面耦合结构的太赫兹光电导天线，可应用于太赫兹发射天线技术领域，包括：光电导天线，光电导天线通过光泵浦激发产生光电导效应，从而辐射太赫兹波；以及超构表面单元，集成在光电导天线的辐射区域，用于调控太赫兹波的相位、振...

本发明提供一种可编程的可见光红外视觉芯片，涉及可见光与红外视觉成像及视觉信息处理技术领域。包括：可见光‑红外探测器阵列；像元级读出电路阵列；传感器数字控制电路；可见光‑红外图像预处理器；可见光‑红外图像异构处理器；数据输出接口电路；金属...

本公开提供了一种静电吸附微探针及其制备方法，可以应用于纳米材料加工技术领域，该静电吸附微探针包括：针尖，包括片状金属电极组，片状金属电极组通电后形成电场，电场用于吸附目标材料；电学连接接口，用于连接外部电源，外部电源用于控制片状金属电极...

本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格探测器外延片背面衬底减薄及平坦化处理方法，涉及红外探测器制造技术领域，旨在解决传统红外探测器制造工艺中由于衬底过厚导致红外衰减及表面损伤影响探测器性能的技术问题。该方法通过对InAs/GaSb I...

本公开提供一种半导体激光器热沉结构，包括：热沉基板；上电极层设于热沉基板上表面，电极层包括平行排列的第一电极区和第二电极区，第一电极区和第二电极区之间的间隙构成电学隔离区；第一电极和第二电极与热沉基板边缘的间隙构成非导电空白区；下电极层...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓异质外延衬底及其制备方法。所述氧化镓异质外延衬底包括：蓝宝石衬底；所述蓝宝石衬底具有斜切表面；所述蓝宝石衬底的斜切表面上设有周期性图形结构；所述周期性图形结构的重复单元的深度为200nm~20...

本发明提供了一种晶圆级双色红外焦平面芯片，可应用于半导体技术领域，包括：键合层；第一探测器外延层，设置有第一公共电极台面和第一像元台面；第二探测器外延层，设置有第二公共电极区和第二像元台面；双色读出电路晶圆，包括第一顶电极触点，第二顶电...

本申请提供了一种高通量薄膜镀膜装置及镀膜方法，包括靶材、样品台以及可以在靶材和样品台之间进行线性移动的掩膜板。其中，样品台内至少设有一线性热源，掩膜板位于样品台与靶材之间，至少包括一镀膜窗口，靶材需通过镀膜窗口物理气相沉积在样品台表面形...

本公开提供了一种晶圆级红外焦平面芯片及其制作方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：对探测器晶圆与读出电路晶圆进行低温键合，形成第一异质集成晶圆，读出电路晶圆第一表面形成有第一电极触点和第二电极触点；在探测器晶圆的表面形成阵列设置的第一...

本发明提供一种集成微透镜的红外探测器及其制备方法，该集成微透镜的红外探测器包括：衬底；在衬底沿第一方向的一侧上设有缓冲层，在缓冲层上设有叠层结构，叠层结构包括依次叠置的N型掺杂接触层、势垒层、吸收层、P型掺杂接触层与P型盖层，其中，叠层...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料及其生长方法。本发明提供的基于结构化衬底的氧化镓半导体材料生长方法，通过GaN成核层生长，在蓝宝石衬底或硅衬底的表面生长GaN缓冲层，然后高温重结晶，形成孤立岛状Ga...