本公开提供一种用于独立驱动的半导体激光线阵光源及其制备方法，方法包括：根据边发射半导体激光光源的线阵长度和间距，光刻形成激光列阵条的发光区和电隔离区，激光芯片各发光单区之间的线阵定位精度为亚微米量级；制备过渡热沉，在过渡热沉双面电镀金属...

本公开提供一种基于耦合腔的垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域。基于耦合腔的垂直腔面发射激光器包括：中心腔，用于产生第一光束；N个耦合腔组，每个耦合腔组包括两个耦合腔，两个耦合腔对称分布在中心腔的两侧并与中心腔耦合连...

本发明提供了一种多维耦合谐振的半导体激光器，包括：包含有源区的波导层，所述有源区用于产生激光；第一发射结构，设置于所述波导层的下侧，用于将所述激光调制后输出边发射激光；第二发射结构，设置于所述波导层上侧表面，所述第二发射结构用于将所述激...

本公开提供了一种铝镓氮材料及其制备方法，可以应用于氮化镓半导体器件领域。该方法包括：利用金属有机物气相沉积反应法在衬底10上制备氮化镓成核层20；通过退火的方式对氮化镓成核层20进行重结晶处理；利用金属有机物气相沉积反应法在重结晶后的氮...

本公开提供了一种偏振稳定的垂直腔面发射激光器及其制作方法，该激光器包括：衬底、N型掺杂层、N面电极、N型DBR、有源区、电流限制层、P型掺杂层、P面电极及柱状介质薄膜DBR；其中，柱状介质薄膜DBR是由在两个正交取向的平面上交替生长的第...

本申请提出一种抑制受激布里渊散射的激光器系统，其中，系统包括：信号发生单元、射频放大单元和相位调制器，信号发生单元用于发出至少两个射频信号，至少两个射频信号包括宽带宽信号和高频正弦信号；射频放大单元用于放大合成后的至少两个射频信号并将放...

本发明提供一种头部穴位定位方法、装置、电子设备和存储介质，涉及医疗技术领域，其中方法包括：基于包括目标对象头部的目标图像，构建初始三维头部参数化模型；控制佩戴在目标对象头部的采集设备中各触觉传感器向头部方向运动，以向头部施加压力，直至在...

本发明提供一种基于应力双折射效应的偏振分束器，包括第一波导与第二波导，第一波导与第二波导沿第一方向并列布设；其中，第一波导沿第二方向上依次包括第一输入波导、第一输入耦合波导、应力双折射波导、第一输出耦合波导和第一输出波导；第二波导沿第二...

本发明提供一种模仿人手的自动捏脊设备及其控制方法，涉及医疗器械技术领域。本发明提供的模仿人手的自动捏脊设备，通过第一滚轮装置自身转动推动皮肤向与捏脊设备移动方向相同的方向移动，来模拟捏脊时大拇指在皮肤上的推行动作；通过第二滚轮装置和第三...

本公开提供了一种基于补偿电流温度系数的数字修调装置及方法，涉及运算放大器修调技术领域，旨在通过该数字修调装置产生的失调补偿电流的温度系数，来使运算放大器的失调电压得到精确补偿的同时，也具有更优的温漂。该数字修调装置包括：共模检测模块、数...

本发明提供一种薄膜锆钛酸铅动态干湿法结合的深刻蚀方法，涉及光电集成技术领域，用于解决现有刻蚀技术中无法实现薄膜锆钛酸铅高侧壁陡直度和光滑侧壁的问题。包括：在薄膜锆钛酸铅基片上沉积铬金属薄膜层；在铬金属薄膜层的一侧涂覆第一光刻胶，得到第一...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件，氧化镓半导体器件结构包括p型氮化镓衬底和氧化镓外延层，p型氮化镓衬底包括基础衬底和位于基础衬底上的p型氮化镓层，基础衬底为蓝宝石衬底或硅衬底；氧化镓外延层...

本发明提供一种多孔硅的氧化方法，涉及材料处理技术领域。该方法包括：获取多孔硅；通过动态电流调控工艺，对多孔硅进行电化学氧化处理，得到氧化后的多孔硅。本发明通过动态电流调控工艺，对多孔硅进行电化学氧化处理，可避免氧化截断现象使多孔硅获得均...

本发明提供一种薄膜锆钛酸铅干法深刻蚀方法，涉及光电集成技术领域，用于解决现有刻蚀技术中无法实现薄膜锆钛酸铅高侧壁陡直度和光滑侧壁的问题。包括：提供待刻蚀的薄膜锆钛酸铅基片；在薄膜锆钛酸铅基片上沉积铬金属薄膜层；在铬金属薄膜层的远离薄膜锆...

本公开提供了一种无监督低光图像增强方法，可应用于计算机视觉与图像增强技术领域。该方法包括：获取待处理的图像；将待处理的图像输入至低光图像增强网络中，得到亮度增强的图像，其中，低光图像增强网络包括预处理模块、光照估计网络、特征提取网络以及...

本申请公开了一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路，属于电子电路技术领域。该电路包括：至少一个超级电容，其为垂直腔面发射激光器供电；电流控制与采样线路，其控制垂直腔面发射激光器的电流流通和关闭，同时通过其对超级电容的放电电流进行采样...

本公开提供了一种高频传输线，应用于半导体技术领域，包括：基板，包括沿深度方向相对的上表面和下表面；信号电极，设置于基板上表面的中部；接地电极，设置于基板下表面以及基板上表面信号电极的两侧，基板上表面两侧的接地电极上开设至少一个沿深度方向...

本公开提供一种CMOS兼容衬底上无反相畴缺陷半导体材料的制备方法，包括：在CMOS兼容衬底表面上制备周期图案；基于周期图案对CMOS兼容衬底表面进行选区外延生长；调节周期图案的周期及引入表面活性剂原子，获得无反相畴缺陷半导体材料，无反相...

本发明提供一种基于深度学习的智能化隧道口结构形变监测方法及装置，涉及土木工程监测与智能建筑技术领域，本发明通过提取特征数据，包括代表点处梁位移、振动频率、孔隙水压力、隧道壁土压力、积水深度、地震加速度和风速，对特征数据进行预处理，计算土...

本发明提供一种光子晶体面发射激光器及其制备方法，该方法包括：S1，提供一衬底，在衬底沿第一方向的一侧上一次外延生长依次包括n‑限制层、n‑波导层、有源区和光子晶体层，在衬底沿第一方向的另一侧上生长DBR层；S2，对光子晶体层的表面进行光...