【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件制造的，更具体地，涉及掺钪氮化铝薄膜以及柔性声表面波谐振器的制备方法。
技术介绍
1、柔性的声表面波saw（surface acoustic wave）器件已广泛应用于可穿戴电子设备、芯片实验室和多种类型的柔性传感器（如湿度、温度、紫外线、生化）。随着5g通信技术的飞速发展以及物联网的广泛应用，对高性能、高频柔性saw器件的需求日益迫切。压电薄膜是saw器件的核心材料，其物理性能对saw器件的谐振频率、机电耦合系数和频率温度系数等有重要的影响，也是高性能、高频柔性saw器件面临的主要挑战。
2、传统压电材料（如石英、）存在cmos工艺兼容性差、制造复杂等问题，而具有互补金属氧化物半导体（complementary metal-oxide-semiconductor，简称cmos）兼容优势的aln材料又受限于较低的机电耦合系数（<1%），难以满足宽带滤波需求。虽然掺钪氮化铝（alscn）因优异的压电性能被视为理想替代材料，但其与高频衬底（如金刚石）外延生长的alscn薄膜质量较差，以及剥离工艺复杂、成
【技术保护点】
1.一种掺钪氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上外延生长二维材料层包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上外延生长二维材料包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在二维材料层上外延生长缓冲层包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺钪氮化铝薄膜层的厚度为1μm~2μm；
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一衬底包括蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底中的一种。
7.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种掺钪氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上外延生长二维材料层包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上外延生长二维材料包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在二维材料层上外延生长缓冲层包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺钪氮化铝薄膜层的厚度为1μm~2μm；
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：羊建坤，魏同波，陈仁锋，冉军学，霍自强，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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