【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管封装结构，更具体地涉及一种紫外发光二极管封装结构。
技术介绍
1、目前紫外发光二极管的封装形式主要是采用金锡焊接的共晶工艺，将紫外发光二极管芯片焊接在带有三维围坝且镀有铜镍金的散热基板腔体内，然后在三维围坝的台阶上加盖平面透镜或球面透镜，达到紫外芯片封装和出光的要求。所采用的透镜满足可透过紫外200nm-400nm等波段的要求。
2、透镜位于三维围坝之上，而三维围坝的深度一般大于芯片的厚度，故透镜与芯片间有空气间隙。传统的紫外封装形式，紫外光经过芯片内部、空气和玻璃，最后又进入空气，根据菲涅尔效应，光在芯片-空气交界处与透镜-空气交界处会有较大的反射，传统的封装形式会极大的影响紫外光的提取。为了更好的光提取效果，光线所过各个介质层的折射率差异应尽量减小，即在透镜与紫外发光二极管芯片之间引入折射率过渡的介质层。
3、对于引入的过渡介质层，需要满足耐紫外光辐照且对紫外线有较高透过率的要求，常见的满足所需条件的固体介质如金刚石、氮化铝、氧化铝、二氧化硅等，折射率处于1.3-2.6之间，但难以与芯...
【技术保护点】
1.一种紫外发光二极管封装结构，其特征在于，包括：散热基板（1）、紫外发光二极管芯片（2）、三维围坝（3）、固液混合介质层（4）、透镜（5）以及焊接层（8），
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于，还包括正极电极面（6）和负极电极面（7），其中，所述正极电极面（6）和所述负极电极面（7）设置于所述散热基板（1）的底部表面，且所述正极电极面（6）和所述负极电极面（7）穿过散热基板（1）与所述紫外发光二极管芯片（2）形成电性连接。
3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于，所述焊接层（8）与所述紫外发光二极管...
【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管封装结构，其特征在于，包括：散热基板（1）、紫外发光二极管芯片（2）、三维围坝（3）、固液混合介质层（4）、透镜（5）以及焊接层（8），
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于，还包括正极电极面（6）和负极电极面（7），其中，所述正极电极面（6）和所述负极电极面（7）设置于所述散热基板（1）的底部表面，且所述正极电极面（6）和所述负极电极面（7）穿过散热基板（1）与所述紫外发光二极管芯片（2）形成电性连接。
3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于，所述焊接层（8）与所述紫外发光二极管芯片（2）接触的表层设置有反射镀层，用于提高光提取效率。
4.根据权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于，所述固液混合介质层（4）的等效折射率介于所述紫外发光二极管芯片（2）的衬底或外延层的折射率与透镜（5）的折射率之间；以及
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭亚楠，刘乃鑫，李晋闽，闫建昌，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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