一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法技术

本发明专利技术提供一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法，涉及二维材料异质结构的构建及其光电器件应用。该方法包括以下步骤；通过化学气相沉积(CVD)工艺制备纳米片：采用CVD工艺分别制备PdSe2纳米片和Bi2O2Se纳米片；异质结构制备：通过干法转移方式，将PdSe2纳米片转移至Bi2O2Se纳米片表面，形成界面清洁、层间耦合紧密的范德华异质结结构。该转移技术保持二维材料晶格与形貌完整，减少有机残留和溶剂污染影响。异质结结构结合PdSe2窄带隙与Bi2O2Se宽光谱响应特性，实现可见光至近红外高效光电转换。p‑n型异质结内建电场使器件无外加偏压下自驱动，具备低功耗等性能。且工艺热预算低，兼容性强，适用于多种衬底，为柔性光电探测器构建提供技术路径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件，具体涉及一种pdse2/bi2o2se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法。

技术介绍

1、随着信息技术、可穿戴设备、环境监测和生物医疗等领域的快速发展，对高性能、低功耗、宽谱响应的光电探测器需求日益迫切。近年来，具有原子级厚度的二维材料因其优异的光电特性、灵活的异质集成能力以及兼容柔性电子器件的潜力，成为构建新型光电器件的重要材料体系。

2、目前，基于二维材料异质结构(如黑磷/mos2、wse2/mote2、sns2/mos2等)构建的光电探测器已展现出高响应度、低暗电流与自驱动等优点(参考文献：xia,f.etal.,nat.photonics,2014,8,899–907；roy,t.etal.,nat.nanotechnol.,2013,8,826–830)。其中，二维bi2o2se因其高电子迁移率、宽波段光响应能力及环境稳定性，近年来受到广泛关注，成为一种前景广阔的n型二维半导体材料。已有研究利用bi2o2se与wse2、sns2等材料构建异质结光电器件，依赖异质界面产生的内建电场实现自驱动光响应(参见：a本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述PdSe2纳米片的制备方法包括以下步骤：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述Bi2O2Se纳米片的制备方法包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述PdSe2纳米片的厚度控制在4–15nm范围内。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述Bi2O2Se纳米片的厚度控制在10–20nm范围内。

6.根据权利要求1所述的一种PdSe2...

【技术特征摘要】

1.一种pdse2/bi2o2se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述pdse2纳米片的制备方法包括以下步骤：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述bi2o2se纳米片的制备方法包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述pdse2纳米片的厚度控制在4–15nm范围内。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述bi2o2se纳米片的厚度控制在10–20nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明强，张令，毕津顺，肖文君，艾尔肯·阿不都瓦衣提，王刚，郝乐，高昌松，王德贵，吴艳，刘雪飞，王珍，
申请(专利权)人：贵州师范大学，
类型：发明
国别省市：