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本发明提供一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法，涉及二维材料异质结构的构建及其光电器件应用。该方法包括以下步骤；通过化学气相沉积(CVD)工艺制备纳米片：采用CVD工艺分别制备PdSe2纳米片和Bi2O2Se...
该专利属于贵州师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过贵州师范大学授权不得商用。

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