铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法，可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属电极，其中p型铝镓氮层与p型氮化镓接触层中设置有台壁微纳反射结构，台壁微纳反射结构包括多个阵列分布的台壁微纳反射单元，台壁微纳反射结构通过混沌‑Jaya算法优化获得，用于提升深紫外发光二极管的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管封装结构，更具体地涉及一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法。

技术介绍

1、自21世纪以来，多次大规模公共卫生事件凸显了前所未有的公共卫生安全挑战，显著提升了对安全、环保型半导体紫外光（ultraviolet，uv）光源的需求，特别是基于铝镓氮（铝镓氮）的深紫外发光二极管（deep-uvlight-emittingdiodes，duv-leds）。除了应对公共卫生安全的需求，duv-leds也已在工业制造领域得到广泛应用，如印刷油墨快速固化、高精度紫外光刻、液晶显示面板加工以及饮用水深度净化等过程，同时在现代农业中也被用于促进植物生长及生长状态监测。此外，鉴于深紫外（uvc）波段紫外光特有的“日盲”特性，近年来duv-leds在无线光通信、导弹预警系统及其他国防科技领域也引发了越来越多的研究兴趣与关注。

2、当前，铝镓氮基duv-leds实现大规模应用的主要障碍在于如何实现高效能功率输出，这一难题主要源于其较低的本征外量子效率（external quantum efficiency，eqe）。led的外部量子效率（e本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，所述台壁微纳反射单元为圆柱和圆台组成的复合结构，其中，所述台壁微纳反射单元的参数包括周期p、高度h、结构顶部直径d1以及结构底部直径d2；以及相邻台壁微纳反射单元之间沉积有金属铝层作为反射材料。

3.根据权利要求2所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，所述周期p为650nm±65nm；

4.根据权利要求1所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，利用所述混沌-Jaya算法优化所述台壁微纳反射结构参数的方法包括：

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，所述台壁微纳反射单元为圆柱和圆台组成的复合结构，其中，所述台壁微纳反射单元的参数包括周期p、高度h、结构顶部直径d1以及结构底部直径d2；以及相邻台壁微纳反射单元之间沉积有金属铝层作为反射材料。

3.根据权利要求2所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，所述周期p为650nm±65nm；

4.根据权利要求1所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，利用所述混沌-jaya算法优化所述台壁微纳反射结构参数的方法包括：

5.根据权利要求1所述的铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型铝镓氮层的掺杂元素为硅元素，硅元素的掺杂浓度为1.3×1019cm-3~1.7×1019cm-3；

【专利技术属性】
技术研发人员：魏学成，闫丹，孙雪娇，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：