一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片制造技术

本申请提供了一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片。铁电晶体管，包括：自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、铁电层和栅极层；或者，自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、阻挡层、铁电层和栅极层；或者，自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、铁电层、反铁电层、阻挡层和栅极层；阻挡层为、、、或ONO；反铁电层为或，x为0.07至0.15。铁电层在硅晶圆厂工艺中常用且无污染，在掺杂浓度、厚度、温度和应力变化方面有稳定性；改善NVM在耐久性周期和数据保持方面的特性；能防止干扰，避免读写的延迟。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存内计算存储器，尤其涉及一种铁电晶体管、fefet存储器阵列及芯片。

技术介绍

1、铁电场效应晶体管（ferroelectric field effect transistor，fefet）是一种金属氧化物半导体（metal oxide semiconductor,mos）晶体管，由栅电极、铁电介电层和带有源极与漏极的半导体沟道组成。我们可以在半导体沟道与铁电介电层之间插入介电中间层（inter dielectric layer，il），以防止铁电介电层与半导体层之间的相互扩散。fefet的工作原理是利用铁电介电材料剩余极化的切换，通过在栅电极上施加外部正电压或负电压来诱导down偶极子和up偶极子，如图1所示。由于铁电介电层内部存在永久偶极子，半导体沟道的电导率将根据铁电介电层中down偶极子或up偶极子的场效应而变化，因此，可以通过铁电晶体管阈值电压（vt）的变化来确定其处于on状态（较低的vt）还是off状态（较高的vt）。铁电材料的重要参数包括：剩余极化（pr）、矫顽场（ec）和饱和极化（psat），剩余极化（pr）是去除外部电场后可切换本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.种铁电晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其特征在于，

7.一种FeFET存储器阵列，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的FeFET存储器阵列，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的FeFET存储器阵列，其特征在于，对选中的铁电晶体管进行写操作时，

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【技术特征摘要】

1.种铁电晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其特征在于，

7.一种fefet存储器阵列，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的fefet存储器阵列，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的fefet存储器阵列，其特征在于，对选中的铁电晶体管进行写操作时，

10.根据权利要求7所述的fefet存储器阵列，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱志龙，
申请(专利权)人：上海深明奥思半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：