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本申请提供了一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片。铁电晶体管，包括：自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、铁电层和栅极层；或者，自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、阻挡层、铁电层和栅极层；或者，自下而上依...
该专利属于上海深明奥思半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海深明奥思半导体科技有限公司授权不得商用。

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