发光二极管外延片及发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及发光二极管，涉及光电器件领域。外延片包括第一多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二多量子阱层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；第一多量子阱层包括InxGa1‑xN层和第一GaN层，其发光波长为λ1；第一空穴注入增强层包括InαGa1‑αN层和InaAlbGa1‑a‑bN层；第二多量子阱层包括InyGa1‑yN层和第二GaN层，其发光波长为λ2；第二空穴注入增强层包括InβGa1‑βN层和第三GaN层；第三多量子阱层包括依次层叠的InzGa1‑zN层和第四GaN层，其发光波长为λ3；α＜β＜x＜y＜z，α≥a，λ1＜λ2≤λ3。实施本发明专利技术，可提升各波段光的均匀性以及发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及发光二极管。

技术介绍

1、多波段发光的led芯片是研发全光谱照明的重要手段之一。为了实现多波段发光，需要在有源发光区设计不同in组分的多量子阱层。为了稳定发光，不同组分的多量子阱层需要足够多的周期数，这导致有源发光区的周期数较普通单波段的led芯片更多。但采用更多周期的多量子阱层时，空穴往往难以有效进入靠近n型层的底层发光区，导致位于该区域的多量子阱层发光不稳定。

2、另一方面，通常为了提升量子阱层（ingan材质）的晶体质量，往往在靠近n型层的区域采用in组分较高的量子阱层，靠近p型层的区域采用in组分较低的量子阱层，以逐步提升生长温度，提升晶体质量。然而，专利技术人进一步研究发现，高in组分的ingan层晶体质量差，往往容易导致从衬底蔓延上来的缺陷更加放大，导致底层的极化效应过强，空穴、电子波函数的重叠程度大幅降低，导致该波段光所对应的多量子阱层的发光效率反而更低。而且，靠近p型层的多量子阱层晶格失配小，该区域电子、空穴复合效率高，这也导致该区域多量子阱层的发光效率更高，整个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、第一多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二多量子阱层、第二空穴注入增强层、第三多量子阱层和P型半导体层；

2. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层的周期数≥2，所述第二多量子阱层的周期数≥3，所述第三多量子阱层的周期数≥2。

3. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层的周期数为2~5；和/或

4. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一空穴注入增强层的周期数为2~5；和/或

5.如...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的n型半导体层、第一多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二多量子阱层、第二空穴注入增强层、第三多量子阱层和p型半导体层；

2. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层的周期数≥2，所述第二多量子阱层的周期数≥3，所述第三多量子阱层的周期数≥2。

3. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层的周期数为2~5；和/或

4. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一空穴注入增强层的周期数为2~5；和/或

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述inαga1-αn层中掺杂mg，所述inβga1-βn层中掺杂mg；

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：舒俊，高虹，郑文杰，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：