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本发明公开了一种发光二极管外延片及发光二极管，涉及光电器件领域。外延片包括第一多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二多量子阱层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；第一多量子阱层包括InxGa1‑xN层和第一GaN层，其发光波长为λ1；第一空...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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