【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种大功率密度的异质结器件及制备工艺。
技术介绍
1、目前，iii-v族化合物半导体异质结晶体管（如algan/gan hfet）凭借其优异的材料特性，在高功率密度应用中展现出显著的优势。gan材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高电子漂移速度等特性，使得器件能够在高电压、高频率和高功率密度条件下稳定运行。此外，algan/gan异质结构通过自发极化与压电极化效应，在异质结界面处形成高浓度的二维电子气（2deg），无需掺杂即可获得高迁移率和低导通电阻，从而实现低损耗、高频率和高效能的工作性能。通过优化器件的结构设计（如采用mishemt结构或增强型工作模式），可以进一步提高其开关速度、击穿电压以及功率处理能力，使得gan异质结器件成为许多高频、高功率密度应用的理想选择，广泛应用于电源转换、射频功率放大器以及汽车电子等领域。
2、然而，在实际应用中，传统的gan-on-si衬底的异质结器件由于硅衬底较厚，限制了器件在垂直方向的结构优化，并降低了芯片面积的有效利用率。虽然现有技术中一些研究提出...
【技术保护点】
1.一种大功率密度的异质结器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于，所述异质结结构单元包括半导体缓冲层（202）、第一半导体层（203）和第二半导体层（204）、欧姆接触电极、绝缘层以及金属电极（103）；
3.根据权利要求2所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于，所述欧姆电极包括第一欧姆接触电极（101）和第二欧姆接触电极（102），所述第一欧姆接触电极（101）和第二欧姆接触电极（102）分别设置在第一半导体层（203）上。
4.根据权利要求2所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种大功率密度的异质结器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于，所述异质结结构单元包括半导体缓冲层（202）、第一半导体层（203）和第二半导体层（204）、欧姆接触电极、绝缘层以及金属电极（103）；
3.根据权利要求2所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于，所述欧姆电极包括第一欧姆接触电极（101）和第二欧姆接触电极（102），所述第一欧姆接触电极（101）和第二欧姆接触电极（102）分别设置在第一半导体层（203）上。
4.根据权利要求2所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层（301）和第二绝缘层（302），所述第一绝缘层（301）位于第一欧姆接触电极（101）和第二半导体层（204）之间，所述第二绝缘层（302）位于第二欧姆接触电极（102）和第二半导体层（204）之间，所述金属电极（103）位于第一欧姆接触电极（101）和第二欧姆接触电极（102）之间。
5.根据权利要求1所述的大功率密度的异质结器件，其特征在于，所述单一半导体衬底（201）选自si、al2o3、hfo2、ga2o3、cro或mgo中的一种或多种叠加结构...
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