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本发明公开了一种大功率密度的异质结器件及制备工艺，包括单一半导体衬底、至少两个异质结结构单元，两个异质结结构单元以背对背堆积方式垂直集成于单一半导体衬底上，相邻异质结结构单元通过顶面金属电极直接键合实现电气互联，且单一半导体衬底为所有异质结...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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