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本发明公开了一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法，结构包括：位于第一导电类型外延层中的不连通的第二导电类型阱区；相邻第二导电类型阱区之间的第一导电类型外延层作为第一导电类型JFET区；位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型源...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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