【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳电池，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、在太阳电池的电极结构制备过程中，采用含抗氧化金属离子的反应溶液在导电金属层的表面制备抗氧化层的过程中，会导致导电金属层与太阳电池的基底的结合能力减弱，致使电极结构容易从太阳电池的基底上脱落，不利于提升电极结构的结构稳定性，影响电极结构对电流的收集效果。
技术实现思路
1、本申请实施例公开了太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池上的电极结构稳定性高、对电流的收集效果好。
2、第一个方面，本申请实施例公开了一种太阳电池，所述太阳电池包括：
3、电池基底，所述电池基底的至少一侧表面设置有凹槽结构；
4、电极结构，所述电极结构设于所述凹槽结构处，所述电极结构包括：
5、导电金属层，所述导电金属层包括相连接的第一子部和第二子部，所述第一子部填充在所述凹槽结构内，所述第二子部露在所述电池基底的外部；
6、抗氧化层，所述抗氧化层包覆在所述第二子部的表面，所述抗氧...
【技术保护点】
1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述H1、所述H2满足：（1:15）≤H1:H2＜（3:5）。
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二子部包括：
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，沿所述电池基底的厚度方向上，所述凹槽结构的正投影的平均宽度为W，所述凹槽结构的深度为H3，所述W和所述H3满足：H3:W=（1:20）~（3：10）。
5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述W满足：10μm≤W≤50μm；所述H3满足：1μm
【技术特征摘要】
1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述h1、所述h2满足：（1:15）≤h1:h2＜（3:5）。
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二子部包括：
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，沿所述电池基底的厚度方向上，所述凹槽结构的正投影的平均宽度为w，所述凹槽结构的深度为h3，所述w和所述h3满足：h3:w=（1:20）~（3：10）。
5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述w满足：10μm≤w≤50μm；所述h3满足：1μm≤h3＜3μm。
6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，沿所述电极结构指向所述电池基底的方向上，所述凹槽结构的截面呈现为顶部宽底部窄的结构。
7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述凹槽结构的所述顶部的宽度为w1，所述凹槽结构的所述底部的宽度为w2，所述w1、所述w2满足：w1:w2=（6:5）~（9:5）。
8.根据权利要求7所述的太阳电池，其特征在于，所述w1满足：15μm≤w1≤20μm，所述w2满足：8μm≤w2≤12μm。
9.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述凹槽结构包括第一凹槽子结构和第二凹槽子结构，所述电池基底包括：
10.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，在所述硅基底上，所述硅基底包括与所述第一凹槽子结构位置对应的第一区域，以及位于所述第一区域之外的第二区域；
11.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，所述微凸起结构为第二金字塔结构；
12.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，所述微凸起结构为第二金字塔结构，其中，所述第一金字塔结构的塔底的平均边长为l1，所述第二金字塔结构的塔底的平均边长为l2，所述l2小于所述l1。
13.根据权利要求12所述的太阳电池，其特征在于，所述l1、所述l2满足：(l1-l2)/l1=（1:4）~（7:20）。
14.根据权利要求13所述的太阳电池，其特征在于，所述l1满足：1μm≤l1≤3μm，所述l2满足：0.75μm≤l2≤2.2μm。
15.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述导电金属层的金属材质包括铜、铝中的至少一种；和/或，
16.根据权利要求9至14任一项所述的太...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱世旺，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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