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文档序号:46622451
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本公开提供一种半导体结构,至少可以包括:第一传输管的栅极与字线连接,第一传输管的源极与电容连接;多层存储阵列,每层存储阵列包括至少一个存储单元,不同层的存储单元连接不同的字线,每一字线的第一端均连接对应的一个第二传输管的源极,第二传输管的栅...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。
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