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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法可以包括：提供基底，基底包括沿第一方向延伸的字线及沿第二方向延伸的有源区；在基底上形成初始掩膜；在初始掩膜层上形成多个间隔排布的第一图形层，第一图形...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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