半导体器件制造技术

公开了半导体器件。所述半导体器件包括：栅电极，在基底上；存储器主体结构，延伸穿过栅电极；源极层，在存储器主体结构的端部处，并且包括掺杂有p型杂质的锗；以及漏极层，在存储器主体结构的另一端部处，并且包括金属或金属合金。存储器主体结构可包括：主体，包括未掺杂的多晶硅；电荷存储图案，在主体的侧壁上；以及阻挡图案，在电荷存储图案的外侧壁上，并且接触栅电极。栅电极。栅电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]本申请要求于2022年4月27日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
‑
2022
‑
0051975号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思的示例实施例涉及半导体器件。具体地，专利技术构思的示例实施例涉及包括隧道场效应晶体管(TFET)的单晶体管动态随机存取存储器(1T
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DRAM)。

技术介绍

[0003]在基于TFET的常规的1T
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DRAM中，导通电流低，使得导通电流相对于截止电流的比率低，这可能导致低感测裕度(sensing margin)。另外，栅极电压与漏极电流之间的I
‑
V曲线是双极的，因此由于单元之间的干扰，感测裕度低。

技术实现思路

[0004]专利技术构思的示例实施例提供具有增强的电特性的半导体器件。
[0005]根据专利技术构思的示例实施例，一种半导体器件包括：栅电极，在基底上；存储器主体结构，延伸穿过栅电极；源极层，在存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：栅电极，在基底上；存储器主体结构，延伸穿过栅电极；源极层，在存储器主体结构的一端部处；以及漏极层，在存储器主体结构的另一端部处，其中，存储器主体结构包括主体、电荷存储图案和阻挡图案，阻挡图案在电荷存储图案的外侧壁上，阻挡图案接触栅电极，其中，源极层包括掩埋在主体中的掩埋部分，并且其中，主体的一部分介于源极层的掩埋部分与电荷存储图案之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，主体在与基底的上表面垂直的垂直方向上延伸，并且其中，主体的所述部分在与基底的上表面平行的水平方向上介于源极层的掩埋部分与电荷存储图案之间。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，主体包括未掺杂的多晶硅。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，源极层包括掺杂有p型杂质的锗。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，漏极层包括金属或金属合金。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，漏极层包括具有等于或小于3.8电子伏特的逸出功的金属或金属合金。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电荷存储图案包括氮化硅，并且阻挡图案包括金属氧化物或氧化硅。8.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的半导体器件，其中：栅电极在与基底的上表面平行的第二方向上延伸，存储器主体结构是在第二方向上彼此间隔开的多个存储器主体结构之一，源极层是在第二方向上彼此间隔开的多个源极层之一，并且漏极层是在第二方向上彼此间隔开的多个漏极层之一。9.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的半导体器件，其中，栅电极在与基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，栅电极是在与基底的上表面平行并与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开的多个栅电极之一，其中，存储器主体结构是在第一方向和第二方向上彼此间隔开的多个存储器主体结构之一，其中，源极层是在第一方向和第二方向上彼此间隔开的多个源极层之一，并且其中，漏极层是在第一方向和第二方向上彼此间隔开的多个漏极层之一。10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：多条源极线，在第二方向上彼此间隔开，所述多条源极线中的每条源极线在第一方向上延伸并且接触在第一方向上设置的所述多个源极层；以及
多条位线，在第二方向上彼此间隔开，所述多条位线中的每条位线在第一方向上延伸并且接触在第一方向上设置的所述多个漏极层。11.一种半导体器件，包括：栅电极，在基底上；存储器主体结构，延伸穿过栅电极；源极层，在存储器主体结构的一端部处，源极层包括掺杂有p型杂质的锗；以及漏极层，在存储器主体结构的另一端部处，漏极层包括金属或金属合金，其中，存储器主体结构包括：主体，包括未掺杂的多晶硅，电荷存储图案，在主体的侧壁上，以及阻挡图案，在电荷存储图案的外侧壁上，阻挡图案接触栅电极。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，漏极层包括具有等于或小于3.8电子伏特的逸出功的金属或金属合金。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，主体在与基底的上表面垂直的垂直方向上延伸，其中，源极层包括掩埋在主体中的掩埋部分，并且其中，主体的一部分在与基底的上表面平行的水平方向上介于源极层的掩埋部分与电荷存储图案之间。14.根据权利要求11至权利要求13中的任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玟浚，金基俊，金容锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：